[发明专利]OPC优化方法及掩膜版的制备方法

说明书

本发明揭示了一种OPC优化方法，所述OPC优化方法包括：提供待优化图形；对所述待优化图形执行OPC循环处理，在每个循环过程中，分别计算掩膜误差放大因子，并依据算得的每个循环过程中的掩膜误差放大因子进行OPC调整。由此，通过在每个循环过程中分别计算掩膜误差放大因子，密切关联了每次循环后的图形变化，使得每次的OPC调整更合理，从而可以迅速提高OPC优化的收敛程度，避免难以收敛的情况，从而提高了生产效率，并有助于获得高质量的图形。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种OPC优化方法及掩膜版的制备方法。

背景技术

光刻技术是半导体制造加工过程中的关键技术。降低集成电路的线宽在很大程度上依赖于光刻精度的提高，以决定是否可以制作出更为精密的图形。

但是，电路结构在从掩膜转移到硅片的过程中，会产生失真。尤其是到了亚微米及以下制造工艺阶段，如果不去改正这种失真的话会造成整个制造技术的失败。导致失真的原因主要是光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)。

为了改善这一状况，光学临近修正(Optical Proximity Correction，OPC)进行图形的优化被广泛运用。然而，如何确保OPC优化的高效、准确，一直是一个难题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种OPC优化方法及掩膜版的制备方法，提高OPC优化效率，并提高优化质量。

为解决上述技术问题，本发明提供一种OPC优化方法，包括：

提供待优化图形；对所述待优化图形执行OPC循环处理，在每个循环过程中，分别计算掩膜误差放大因子，并依据算得的每个循环过程中的掩膜误差放大因子进行OPC调整。

可选的，对于所述的OPC优化方法，对所述待优化图形执行OPC循环处理之前，将所述待优化图形划分为多个分段图形。

可选的，对于所述的OPC优化方法，所述OPC调整为依据所述掩膜误差放大因子对所述待优化图形在OPC时的分段图形进行移动，包括分段图形向边的外侧移动及分段图形向边的内侧移动。

可选的，对于所述的OPC优化方法，在第1个循环过程中，掩膜误差放大因子依据边缘位置误差获得。

可选的，对于所述的OPC优化方法，自第2个循环过程起，在每个循环过程中掩膜误差放大因子由如下公式获得：MEEFi＝(EPEi-EPEi-1)/Movementi-1，其中i≥2，i为整数；Movementi-1表示第i-1个循环过程中所述移动的值，EPE为每个循环过程中的边缘位置误差。

可选的，对于所述的OPC优化方法，

若MEEFi≥SPEC，则Movementi＝(MEEFi/k)-1*feedback*EPEi；

若MEEFi＜SPEC，则Movementi＝feedback*EPEi；

其中，SPEC为参考值，feedback为OPC反馈值，k为常数。

可选的，对于所述的OPC优化方法，所述循环的次数为3-10次。

可选的，对于所述的OPC优化方法，采用并行处理模式同时对所述多个分段图形进行所述OPC循环处理。

可选的，对于所述的OPC优化方法，依次对每个所述分段图形进行所述OPC循环处理。

可选的，对于所述的OPC优化方法，每个所述分段图形进行所述OPC循环处理的循环次数不全相同。

本发明还提供一种掩膜版的制备方法，包括如上所述的OPC优化方法。