[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一具有层间介质层的衬底，所述衬底具有显示区和位于所述显示区外围的非显示区，在所述显示区的所述层间介质层的表面上形成有第一电极，在所述非显示区的所述层间介质层中形成有焊盘开口，所述焊盘开口的底部暴露出所述衬底中相应的金属层的顶部；

在所述层间介质层、第一电极以及焊盘开口的表面上覆盖台阶缓和层材料；

去除所述第一电极顶部上以及所述焊盘开口中的台阶缓和层材料，以形成暴露出所述第一电极顶部的台阶缓和层，所述台阶缓和层覆盖在所述第一电极的侧壁上以及相邻的所述第一电极之间的沟槽的底面上，且所述第一电极的顶部表面和所述台阶缓和层平铺在所述层间介质层上的水平部分的顶部表面之间的高度差小于所述第一电极的顶部表面和所述层间介质层的顶部表面之间的高度差；

在所述第一电极顶部以及所述台阶缓和层的表面上依次形成电极间介质层以及与所述第一电极相对应的第二电极，所述电极间介质层包括有机发光层，所述电极间介质层暴露出所述焊盘开口并覆盖所述显示区的第一电极、台阶缓和层以及层间介质层的表面，所述第二电极位于所述显示区中；所述台阶缓和层为具有防粘性能的有机化合物，与所述层间介质层和所述电极间介质层之间具有较强的粘附力，而与所述焊盘开口底部暴露的金属层之间具有相对较弱的粘附力。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，提供所述衬底的步骤包括：

提供一基底，采用CMOS工艺在所述基底上形成至少一个晶体管；

采用多层金属互连工艺在所述基底和所述晶体管元件的表面上形成与所述晶体管电连接的多层金属互连结构，所述多层金属互连结构包括最顶层互连金属层、位于所述最顶层互连金属层之下的次顶层互连金属层、位于最顶层互连金属层与次顶层互连金属层之间的所述层间介质层以及位于所述层间介质层的电连接所述最顶层互连金属层与次顶层互连金属层的顶部导电插塞结构；

图案化所述最顶层互连金属层，以形成所述第一电极，并暴露出所述层间介质层的用于形成所述焊盘开口的区域表面；

刻蚀暴露出的所述层间介质层用于形成所述焊盘开口的区域表面，以形成所述焊盘开口，所述焊盘开口暴露出所述次顶层互连金属层的顶部。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述台阶缓和层的材料包括聚四氟乙烯、聚对二甲苯、全氟癸羧酸、全氟辛基三氯硅烷、过氟奎基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、二氯二甲基硅烷、氯代硅烷、氯氟硅烷、甲氧基硅烷、三氯硅烷、硅酮、聚苯乙烯、聚氨基甲酸酯和聚硅氮烷中的至少一种。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极，且所述第二电极的材料包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的一种。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第一电极以及所述台阶缓和层的表面上依次形成电极间介质层和第二电极的步骤包括：

在所述第一电极和所述台阶缓和层的表面上覆盖电极间介质层；

图案化所述电极间介质层，以暴露出所述焊盘开口；

在所述电极间介质层以及所述焊盘开口的表面上覆盖第二电极层；

图案化所述第二电极层，以形成暴露出所述焊盘开口的第二电极。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在图案化所述电极间介质层之后，进行表面清洗，以去除所述焊盘开口中剩余的台阶缓和层材料。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第一电极、层间介质层和焊盘开口的表面上覆盖所述台阶缓和层材料之前，先在所述焊盘开口中形成铝垫；或者，在形成所述第二电极之后，在所述焊盘开口中形成铝垫。