[发明专利]一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法及其装置

说明书

本发明公开了一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法，包括以下步骤：S1、加装平板；S2、安装感应器；S3、感应器报警。一种改善滚轮带液刻蚀过刻的装置，包括滚轮带液刻蚀设备，所述滚轮下方设置有平板，所述平板与滚轮相互贴合；所述平板上平行设置有多组安装槽，所述安装槽与滚轮相互垂直，且安装槽与滚轮连接处设置有感应器，所述感应器包括电性连接的按钮开关和报警器，所述按钮开关与滚轮活动连接。本发明的装置配合着改善过刻的方法，能够有效避免由于滚轮不平造成的过刻，减少由于刻蚀过程中过刻造成效率降低情况，以及过刻造成的外观不良情况，可以实时进行过刻情况的检测，实用性强，非常值得推广。

技术领域

本发明涉及刻蚀技术领域，具体为一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法及其装置。

背景技术

目前常规单晶电池片生产过程为：制绒-扩散-湿法刻蚀-退火-SiNx镀膜-丝网印刷-烧结-分选-检测，扩散采用两片硅片背靠背方式进行,对硅片正面进行掺杂，形成P-N结，背面和侧边也不可避免地扩散上磷，正面收集的光生电子会沿着边缘有磷的区域流到背面，造成短路。湿法刻蚀使用HF/HNO3溶液去除侧边和背面的磷，避免发生短路，但刻蚀过程中经常出现过刻，即将正面部分P-N结刻蚀去除，过刻会降低光生载流子的吸收能力，从而导致电池片转换效率下降，严重过刻时会出现明显的外观异常。本发明旨在减少刻蚀过程中的过刻现象，降低过刻对效率、良率的影响。

目前采用的湿法刻蚀技术主要为“水上漂”和滚轮带液两种，“水上漂”技术中需使用硫酸，以达到使硅片漂在液面的浮力，但硫酸污染较大，现正在逐步减少其使用量；滚轮带液技术中硅片不直接接触溶液，而是螺纹滚轮的一部分淹没在溶液中，利用滚轮转动时带起的液对硅片的侧边和背面进行刻蚀，此技术对滚轮的水平型要求较高，生产时在硅片上表面铺上水膜，避免上表面被刻蚀，若滚轮不平，则会引起硅片抖动，水膜将会流下，硅片上表面将会被刻蚀，即过刻，现生产过程中常出现因滚轮不平而引起的过刻。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法及其装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种改善滚轮带液刻蚀过刻的方法，包括以下步骤：

S1、加装平板：在滚轮带液刻蚀设备的滚轮下加装一个平板，所述平板中开设有若干孔洞，且滚轮与平板相互贴合；

S2、安装感应器：在平板与滚轮贴合处设置有感应器，且感应器安装于平板上；

S3、感应器报警：若滚轮未与平板贴合，则感应器发出报警信号。

一种改善滚轮带液刻蚀过刻的装置，用于改善滚轮带液刻蚀过刻的方法，包括滚轮带液刻蚀设备，所述滚轮带液刻蚀设备中水平设置有多根滚轮，所述滚轮下方设置有平板，所述平板中开设有若干孔洞，所述平板与滚轮相互贴合；

所述平板上平行设置有多组安装槽，所述安装槽与滚轮相互垂直，且安装槽与滚轮连接处设置有感应器，所述感应器包括电性连接的按钮开关和报警器，所述按钮开关与滚轮活动连接。

优选的，所述平板的开孔率范围为5％-25％。

优选的，所述孔洞之间的距离相同。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

本发明的装置配合着改善过刻的方法，能够有效避免由于滚轮不平造成的过刻，减少由于刻蚀过程中过刻造成效率降低情况，以及过刻造成的外观不良情况，可以实时进行过刻情况的检测，实用性强，非常值得推广。

附图说明

图1为本发明的方法流程示意框图；

图2为本发明的整体装置结构示意图；

图3为本发明的平板与滚轮连接结构示意图；