[发明专利]显示面板及其制作方法、显示模组、电子装置有效
申请号: | 201810579425.0 | 申请日: | 2018-06-07 |
公开(公告)号: | CN108832017B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 涂昕 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L23/00;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 模组 电子 装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底;
发光层,形成于所述衬底上;
封装层,形成于所述发光层上;
挡墙组,形成于所述衬底上,且被所述封装层覆盖,
所述挡墙组包括第一挡墙和第二挡墙,所述第一挡墙包括靠近所述衬底的第一底面、背离所述衬底的第一顶面、以及连接所述第一底面和所述第一顶面的第一侧面;其中,所述第二挡墙覆盖所述第一顶面的至少一部分和所述第一侧面的至少一部分;
所述挡墙组还包括第三挡墙,所述第一挡墙、所述第二挡墙、以及所述第三挡墙的高度依次增加,且形成呈上升的阶梯状结构。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一侧面为所述第一挡墙靠近或背离所述发光层的一侧表面。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二挡墙覆盖所述第一顶面的一部分和所述第一侧面。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一顶面的宽度小于或等于所述第一底面的宽度。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一侧面为平面或者曲面。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二挡墙包括相对设置的第二底面和第二顶面、以及连接所述第二底面和所述第二顶面的第二侧面,其中,所述第二底面覆盖所述第一顶面的一部分和所述第一侧面,所述第二顶面的宽度小于所述第二底面的宽度,所述第二侧面为平面或者曲面。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第三挡墙包括相对设置的第三底面和第三顶面、以及连接所述第三底面和所述第三顶面的第三侧面,其中,所述第三底面覆盖所述第二顶面的一部分和所述第二侧面,所述第三顶面的宽度小于所述第三底面的宽度,所述第三侧面为平面或者曲面。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板具有显示区域和非显示区域,所述发光层设置于所述显示区域内,所述第一挡墙、所述第二挡墙以及所述第三挡墙设置于所述显示区域边缘的发光层与所述非显示区域之间。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S10,在一衬底上形成平坦化层和第一挡墙,所述平坦化层和所述第一挡墙通过同一第一构图工艺制作,其中,所述第一挡墙包括靠近所述衬底的第一底面、背离所述衬底的第一顶面、以及连接所述第一底面和所述第一顶面的第一侧面,所述第一顶面的宽度小于所述第一底面的宽度;
S20,在所述衬底上形成像素定义层和第二挡墙,所述像素定义层和所述第二挡墙通过同一第二构图工艺制作,其中,所述第二挡墙包括相对设置的第二底面和第二顶面、以及连接所述第二底面和所述第二顶面的第二侧面,所述第二底面覆盖所述第一顶面的一部分和所述第一侧面,所述第二顶面的宽度小于所述第二底面的宽度;
S40,在所述衬底上形成发光层;
S50,在所述发光层上形成封装层,所述封装层覆盖所述发光层、所述第一挡墙和所述第二挡墙;
在所述S40之前还包括:S30,在所述衬底上形成支撑垫和第三挡墙,所述支撑垫和所述第三挡墙通过同一第三构图工艺制作,其中,所述第三挡墙包括相对设置的第三底面和第三顶面、以及连接所述第三底面和所述第三顶面的第三侧面,其中,所述第三底面覆盖所述第二顶面的一部分和所述第二侧面,所述第三顶面的宽度小于所述第三底面的宽度;
其中,所述第一挡墙、所述第二挡墙、以及所述第三挡墙的高度依次增加,且形成呈上升的阶梯状结构。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第二构图工艺的掩模板相对于所述第一构图工艺的掩模板进行偏移,所述第三构图工艺的掩模板相对于所述第一构图工艺和所述第二构图工艺的掩模板进行偏移。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810579425.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择