[发明专利]提高等离子体离子注入机机台产能的方法及设备

权利要求书

1.一种提高等离子体离子注入机机台产能的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供一种等离子体注入机设备，所述等离子体注入机设备包括：预抽真空室、传送室和处理室，所述预抽真空室包括预抽真空室一；所述传送室设置于所述预抽真空室一的一侧，所述预抽真空室一与所述传送室间设有隔离阀一；所述处理室设置于所述传送室相对于所述预抽真空室一的另一侧，所述处理室包含处理室一；所述传送室与所述处理室一间设有隔离阀二；所述等离子体注入机设备还包括加气装置，所述加气装置至少连接于所述传送室和所述预抽真空室的任一者；S1步骤包括：所述预抽真空室一内载入有晶圆，再向所述预抽真空室一、所述传送室及所述处理室一中通入工艺气体，使得所述预抽真空室一、所述传送室及所述处理室一形成一个充入所述工艺气体且与外部隔绝的封闭空间，再打开所述预抽真空室一与所述传送室之间的所述隔离阀一；

S2、将所述晶圆从所述预抽真空室一，穿过所述隔离阀一传入所述传送室；

S3、打开所述传送室与所述处理室一之间的所述隔离阀二；

S4、将所述晶圆从所述传送室，穿过所述隔离阀二传入所述处理室一；

S5、关闭所述传送室与所述处理室一之间的所述隔离阀二；

S6、对所述处理室一内的所述晶圆用所述工艺气体进行等离子体离子注入处理；

S7、重新打开所述传送室与所述处理室一之间的所述隔离阀二；

S8、将经过等离子体注入处理后的所述晶圆从所述处理室一传回所述传送室；

S9、再将经过等离子体注入处理后的所述晶圆从所述传送室传回所述预抽真空室一；

其中，前述步骤S2至前述步骤S9的过程中，所述预抽真空室一与所述传送室仍保持充入所述工艺气体的一个或一个以上的封闭空间。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中先向所述预抽真空室一通入所述工艺气体，再向所述传送室中通入所述工艺气体，随后再向所述处理室一通入所述工艺气体。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中所述预抽真空室一和所述传送室中通入所述工艺气体的压力相同。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤S1中所述处理室一内所述工艺气体压力与所述预抽真空室一和所述传送室内所述工艺气体压力相同。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述工艺气体至少包含三氟化硼、二硼烷中的任一种。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S6中离子注入制程中所述工艺气体压力介于

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预抽真空室还包括预抽真空室二，设置于所述传送室相同于所述预抽真空室一的同一侧，所述预抽真空室二与所述传送室间还设有隔离阀三，所述处理室还包括处理室二，所述处理室二与所述处理室一并列设置在所述传送室的同一侧，所述处理室二与所述传输室间设有隔离阀四，所述方法还包括如下步骤：

S10、所述预抽真空室二中载入有所述晶圆，所述预抽真空室二、所述传送室及所述处理室二通入所述工艺气体，打开所述预抽真空室二与所述传送室之间的所述隔离阀三；

S11、将所述晶圆从所述预抽真空室二，穿过所述隔离阀三传入所述传送室；

S12、打开所述传送室与所述处理室二之间的所述隔离阀四；

S13、将所述晶圆从所述传送室，穿过所述隔离阀四传入所述处理室二；

S14、关闭所述传送室与所述处理室二间的所述隔离阀四；

S15、对所述处理室二内的所述晶圆用所述工艺气体进行等离子体离子注入处理；

S16、重新打开所述传送室与所述处理室二之间的所述隔离阀四；

S17、将经过等离子体注入处理后的所述晶圆从所述处理室二传回所述传送室；

S18、再将经过等离子体注入处理后的所述晶圆从所述传送室传回所述预抽真空室二。