[发明专利]集成电路封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种用于形成集成电路封装件的方法，所述方法包括：

形成包括划线区域、第一集成电路管芯和第二集成电路管芯的半导体工件，其中，所述划线区域分离并邻接所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯，其中，所述第一集成电路管芯包括电路和电耦合到所述电路的焊盘结构，其中，所述焊盘结构包括第一焊盘、第二焊盘和桥，并且所述桥在所述划线区域内并且从所述第一焊盘延伸到所述第二焊盘以将所述第一焊盘连接到所述第二焊盘；以及

沿着所述划线区域切割所述半导体工件以使所述第一集成电路管芯和所述第二集成电路管芯个体化，其中，所述切割移除所述桥以分离所述第一焊盘和所述第二焊盘。

2.根据权利要求1所述的用于形成集成电路封装件的方法，其中，所述半导体工件包括覆盖所述第一焊盘和所述第二焊盘的钝化层，并且所述方法还包括：

在所述钝化层中实施蚀刻以形成暴露所述第一焊盘的开口，但不暴露所述第二焊盘，并且在所述第二焊盘被所述钝化层完全覆盖的同时实施所述切割。

3.根据权利要求2所述的用于形成集成电路封装件的方法，还包括：

通过所述开口使用所述第一焊盘在所述电路上实施电路探测测试。

4.根据权利要求2所述的用于形成集成电路封装件的方法，其中，所述第一集成电路管芯还包括像素传感器的阵列，并且所述方法还包括：

形成覆盖所述像素传感器的阵列并且凹进到所述钝化层的顶部中的滤色器的阵列；以及

形成覆盖所述滤色器的阵列的微透镜的阵列。

5.根据权利要求4所述的用于形成集成电路封装件的方法，还包括：

通过所述开口使用所述第一焊盘在所述电路上实施第一轮电路探测测试，其中，在实施所述蚀刻和形成所述滤色器的阵列之间实施所述第一轮电路探测测试；以及

通过所述开口使用所述第一焊盘在所述电路上实施第二轮电路探测测试，其中，在形成所述微透镜的阵列和切割所述半导体工件之间实施所述第二轮电路探测测试。

6.根据权利要求2所述的用于形成集成电路封装件的方法，还包括：

在实施所述蚀刻和切割所述半导体工件之间在所述第一焊盘上形成腐蚀，其中，所述腐蚀通过所述开口形成在所述第一焊盘上，并且所述第二焊盘在切割所述半导体工件期间没有腐蚀。

7.根据权利要求1所述的用于形成集成电路封装件的方法，其中，所述第一焊盘形成为通过所述第二焊盘和所述桥电耦合到所述电路，并且所述第一焊盘在所述切割完成时电浮置。

8.根据权利要求1所述的用于形成集成电路封装件的方法，其中，所述焊盘结构在所述切割之前具有U形布局。

9.根据权利要求1所述的用于形成集成电路封装件的方法，还包括：

在所述切割之后，形成沿着所述第一集成电路管芯的侧壁从与所述第二焊盘的侧壁横向接触延伸到所述第一集成电路管芯的下侧的外部连接件；以及

在所述第一集成电路管芯的下侧上形成焊料凸块，其中，所述焊料凸块通过所述第二焊盘和所述外部连接件电耦合到所述电路。

10.一种集成电路封装件，包括：

集成电路管芯，包括电路、第一焊盘、第二焊盘和钝化层，其中，所述钝化层覆盖所述第二焊盘并且限定覆盖所述第一焊盘的开口，所述第一焊盘电浮置并且在所述开口处具有损坏的第一部分顶面，所述第一焊盘的被所述钝化层覆盖的第二部分顶面没有所述损坏，其中，所述第二焊盘电耦合到所述电路并且具有没有损坏的顶面，并且所述第一焊盘、所述第二焊盘和所述钝化层部分地限定所述集成电路管芯的公共侧壁；以及

外部连接件，沿着所述公共侧壁从所述集成电路管芯的底部延伸到与所述第二焊盘横向接触。