[发明专利]PN二极管在审
| 申请号： | 201810580650.6 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN109004034A | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | A·格拉赫 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 边缘沟槽 半导体元件 板形 半导体二极管 厚度减小 不平行 引入 | ||
1.半导体二极管，具有板形半导体元件(1)，所述板形半导体元件具有上侧(2)、下侧(3)和边缘(4)，其中，边缘(4)构造为直线，所述上侧(2)设置有连续的p掺杂层(11)并且所述下侧(3)设置有连续的强n掺杂层(12)，在所述强n掺杂层(12)和p掺杂层(11)之间布置有弱n掺杂层(13)和中等强度n掺杂层(14)，其中，所述边缘(4)具有边缘沟槽(21)，在该边缘沟槽中所述板形半导体元件(1)的厚度减小，其中，在边缘沟槽(21)的区域中所述p掺杂层(11)直接接触所述弱n掺杂层(13)，其特征在于，从所述下侧(3)开始引入另外的沟槽(23)，所述另外的沟槽定向为不平行于所述边缘沟槽(21)。
2.根据权利要求1所述的半导体二极管，其特征在于，从所述下侧(3)开始的所述另外的沟槽(23)相对于所述边缘沟槽(21)具有20度至70度、优选40度至50度的角度。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，在所述下侧(3)中引入多个互相平行的另外的沟槽(23)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的半导体二极管，其特征在于，从所述半导体元件(1)的上侧(2)开始引入定向为不平行于所述下侧(3)的所述另外的沟槽(23)的另外的沟槽(22)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的半导体二极管，其特征在于，在所述上侧(2)上在所述p掺杂层(11)上施加金属化部并且在所述下侧(3)上在所述强n掺杂层(12)上施加另外的金属化部，其中，所述金属化部与所述p掺杂层(11)具有欧姆接触并且所述另外的金属化部与所述强n掺杂层(12)具有欧姆接触。
6.根据权利要求5所述的半导体二极管，其特征在于，所述金属化部或所述另外的金属化部构造为可焊接的金属化部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司，未经罗伯特·博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810580650.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
