[发明专利]基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：包括开通电路、关断电路、栅极升压电路以及直流电压源V_CC；

所述直流电压源V_CC，由外部控制器输出的PWM信号控制在开通SiC MOSFET时输出正直流电压且在关断SiC MOSFET时输出负的直流电压；

所述开通电路，其输入端与直流电压源V_CC的输出端连接，用于向SiC MOSFET的栅极输入驱动电压信号；

关断电路，其输出端与直流电压源V_CC的输出端连接，输入端与SiC MOSFET的栅极连接，用于对导通的SiC MOSFET进行关断；

栅极升压电路，其输入端与直流电压源V_CC的输出端连接，其输出端与SiC MOSFET的栅极连接，用于向SiC MOSFET输出延时电压信号并与驱动电压叠加并驱动SiC MOSFET导通。

2.根据权利要求1所述基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述开通电路包括二极管Dgon以及电阻Rgon；

所述二极管Dgon的正极与直流电压源V_CC的输出端连接，二极管Dgon的负极与电阻Rgon的一端连接，电阻Rgon的另一端与SiC MOSFET的栅极连接。

3.根据权利要求2所述基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述关断电路包括二极管Dgoff和电阻Rgoff；

所述二极管Dgoff的负极连接于直流电压源V_CC的输出端连接，二极管Dgoff的正极通过电阻Rgoff连接于SiC MOSFET的栅极。

4.根据权利要求2所述基于栅极升压的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于：所述栅极升压电路包括延时电路和升压电路；

所述延时电路包括电阻R₁、电阻R₂以及电容C_bst；其中，电阻R1的阻值小于电阻R2的阻值；

所述升压电路包括电阻R_bst以及晶体管Q_bst；

所述电阻R₂的一端连接于二极管Dgon的负极，电阻R₂的另一端通过电阻R₁接地，电阻R₁和电阻R₂之间的公共连接点与晶体管Q_bst的栅极连接，电容C_bst的一端连接于电阻R₁和电阻R₂之间的公共连接点，电容C_bst的另一端连接于电阻R₂和直流电压源V_CC之间的公共连接点；晶体管Q_bst的漏极与电阻R₂和二极管Dgon负极的公共连接点连接；晶体管Q_bst的源极通过电阻R_bst与SiCMOSFET的栅极连接。