[发明专利]一种类花瓣二硫化钼薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种类花瓣二硫化钼薄膜的制备方法，包括以下步骤：

(1)将退浆棉布在种子溶液中浸泡后干燥，得到沉积晶核的棉布，所述种子溶液中包括钼盐和还原剂；

(2)将所述步骤(1)所得到的沉积晶核的棉布浸泡在生长溶液发生二硫化钼自生长反应，得到类花瓣二硫化钼薄膜，所述生长溶液中包括钼盐和还原剂；

所述种子溶液和生长溶液中的还原剂独立地包括硫脲、硫代硫酸钠和硫化钠中的一种或多种；所述生长溶液中钼盐和还原剂各自的浓度分别高于种子溶液中钼盐和还原剂的浓度，所述自生长反应后，将自生长反应产物与聚乙二醇水溶液混合发生水热反应，得到亲水性的类花瓣二硫化钼薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中退浆棉布由棉布经退浆处理得到，所述退浆处理的温度为90～100℃，所述退浆处理的时间为6～12h。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中种子溶液中钼盐的浓度为0.005～0.01mol/L，还原剂的浓度为0.01～0.02mol/L。

4.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中生长溶液中钼盐的浓度为0.01～0.1mol/L，还原剂的浓度为0.02～0.2mol/L。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述种子溶液和生长溶液中钼盐独立地包括钼酸钠、钼酸铵、钼酸钾和钼酸镁中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中自生长反应的温度为180～200℃，自生长反应的时间不小于20h。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为140～180℃，所述水热反应的时间为1～2h。

8.权利要求1～7任意一项所述制备方法制得的类花瓣二硫化钼薄膜，以棉布为基底，在棉布基底上生长有片层二硫化钼叠加而成的二硫化钼纳米球，密集排列的由片层叠加的二硫化钼纳米球形成了类花瓣二硫化钼薄膜。

9.权利要求8所述的类花瓣二硫化钼薄膜在光热转换材料中的应用。