[发明专利]显示器面板有效
申请号: | 201810581903.1 | 申请日: | 2018-06-07 |
公开(公告)号: | CN108807476B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 易士娟 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示器 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于:所述显示面板包含:
一有源区域及一非显示区域,所述非显示区域设置于所述有源区域周围并依序延伸形成一弯折区域、一扇型走线区域及一元件设置区域,所述元件设置区域具有多个元件连接接口;
一第一电源线的一第一区段,设置于所述有源区域周围的所述非显示区域,所述第一电源线的所述第一区段连接至所述元件设置区域的所述第一电源线的一第二区段,所述第一电源线的所述第二区段位于所述元件设置区域并连接所述多个元件连接接口;及
一第二电源线的一第一区段,靠近所述有源区域并设置在所述有源区域及所述弯折区域之间,所述第二电源线的所述第一区段通过设置在所述弯折区域上的至少一组多条第二连接子线连接至所述元件设置区域的所述第二电源线的一第二区段,所述第二电源线的所述第二区段连接至所述多个元件连接接口,
其中所述第二电源线的所述第一区段与所述第二电源线的所述第二区段互相平行,及所述第二电源线的所述第一区段的一线径小于所述第二电源线的所述第二区段的一线径,且大于所述第二连接子线的一线径。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述第二电源线的所述第一区段分别以两组多条第二连接子线经过所述弯折区域的两个区段而连接至所述元件设置区域的所述第二电源线的所述第二区段。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于:所述第二电源线的所述第一区段分别以三组多条第二连接子线经过所述弯折区域的一左侧区段、一中间区段及一右侧区段而连接至所述元件设置区域的所述第二电源线的所述第二区段。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述第二电源线的所述第一区段的线径不大于150微米。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述第二连接子线的线径为不大于20微米。
6.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于:所述第二电源线的所述第二区段的线径为不大于250微米。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于:所述第一电源线的所述第一区段分别以设置在所述弯折区域上的多条第一连接子线而连接至所述元件设置区域的所述第一电源线的所述第二区段。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于:所述第一电源线的所述第一区段的一线径及所述第一电源线的所述第二区段的一线径大于所述第一连接子线的一线径。
9.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于:所述第一连接子线的一线径为不大于20微米。
10.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于:所述扇型走线区域更包含多条数据线,其中位于所述弯折区域的所述第一连接子线、所述第二连接子线及所述多条数据线的材料为钛/铝/钛,或由钼、铜、纳米银线中的一种组成。
11.一种显示器面板,其特征在于:所述显示器面板包含:
一有源区域及一非显示区域,所述非显示区域设置于所述有源区域周围并依序延伸形成一弯折区域及一元件设置区域,所述弯折区域定义有一左侧区段、一中间区段及一右侧区段,所述元件设置区域具有多个元件连接接口;
多条数据线,通过所述弯折区域连接所述有源区域及所述多个元件连接接口;及
一电源线的一第一区段,靠近所述有源区域,所述电源线的所述第一区段分别以三组多条连接子线经过所述弯折区域的所述左侧区段、所述中间区段及所述右侧区段而连接至所述元件设置区域的所述电源线的一第二区段,所述电源线的所述第二区段连接至所述多个元件连接接口,
其中所述电源线的所述第一区段与所述电源线的所述第二区段互相平行,及所述电源线的所述第一区段的一线径小于所述电源线的所述第二区段的一线径,且大于所述多条连接子线的一线径。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的