[发明专利]一种ESD保护电路和方法

说明书

本发明实施例提供了一种ESD保护电路和方法，保护电路包括：分压电路和M个RC触发箝位电路；其中，分压电路，用于将直流电源的电压进行分压并输出分压后电压信号；每个RC触发箝位电路，用于基于所述分压后电压信号进行工作，并输出电压信号或电流信号至ESD泄放器件，以驱动所述ESD泄放器件工作。如此，可以将低压工艺下的晶体管等器件应用于高电源电压场景时，提供相应的ESD保护电路，使低压工艺下的器件可以承受由高电源电压而产生的ESD。

技术领域

本发明涉及ESD保护技术，尤其涉及一种静电释放(Electro-Static discharge，ESD)保护电路和方法。

背景技术

ESD是一种常见的近场危害源，可形成高电压，瞬时大电流，对电路器件造成损伤。随着集成电路技术的发展，芯片内部器件的电源电压越来越低，但是对于特定的应用环境，外部供电电压远高于芯片内部器件的正常工作电压，比如射频功率芯片，其内部器件工作电压一般为2.5V，而外部锂电池供电电压高达2.8-4.6V；为了保护芯片不被ESD损坏，这就要求芯片的I/O接口电路和ESD保护电路既要忍受较高的外部供电电源，也要保证良好的ESD放电能力。

在现有的ESD保护电路中，RC触发箝位电路常用于对电源端和地端的保护，RC触发箝位电路包括RC串联电路和反相器组，其中，反相器组的一端接在RC串联电路的电阻和电容之间，另一端连接ESD泄放器件；ESD泄放器件用于在ESD事件来临时，泄放ESD电荷；ESD泄放器件接在电源端和地节点之间，例如，当ESD泄放器件为金属—氧化物—半导体(MetalOxide Semiconductor)场效应晶体管(简称MOS管)时，MOS管的栅极连接反相器组输出，漏极和源极分别连接电源端和地节点；显然，当电源电压高于ESD泄放器件的耐压值时，ESD泄放器件处于过压状态，存在被击穿损坏的风险。

发明内容

为解决现有存在的技术问题，本发明实施例提供一种ESD保护电路和方法，可以将低压工艺下的晶体管等器件应用于高电源电压场景时，提供相应的ESD保护电路，使低压工艺下的器件可以承受由高电源电压而产生的ESD。

为达到上述目的，本发明实施例的技术方案是这样实现的：

本发明实施例提供一种ESD保护电路，所述保护电路接入直流电源，所述保护电路包括：分压电路和M个RC触发箝位电路，M为大于或等于1的整数；其中，

分压电路，用于将直流电源的电压进行分压并输出分压后电压信号；

每个RC触发箝位电路，用于基于所述分压后电压信号进行工作，并输出电压信号或电流信号至ESD泄放器件，以驱动所述ESD泄放器件工作。

本发明实施例还提供一种ESD保护方法，应用于ESD保护电路中，所述保护电路接入直流电源，所述保护电路包括：分压电路和M个RC触发箝位电路，M为大于或等于1的整数；所述方法包括：

将直流电源的电压进行分压，并输出分压后电压信号；

在每个RC触发箝位电路基于所述分压后电压信号进行工作时，每个RC触发箝位电路输出电压信号或电流信号至ESD泄放器件，以驱动所述ESD泄放器件工作。

本发明实施例提供的一种ESD保护电路和方法中，保护电路包括：分压电路和M个RC触发箝位电路；其中，分压电路，用于将直流电源的电压进行分压并输出分压后电压信号；每个RC触发箝位电路，用于基于所述分压后电压信号进行工作，并输出电压信号或电流信号至ESD泄放器件，以驱动所述ESD泄放器件工作。如此，可以在将低压工艺下的晶体管等器件应用于高电源电压场景时，提供相应的ESD保护电路，使低压工艺下的器件可以承受由高电源电压而产生的ESD。

附图说明

图1为现有技术中采用RC触发箝位电路的一个示意图；

图2为本发明实施例的ESD保护电路的一个示意图；