[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，所述装置包括：

一通道层，设置于一基底之上；

一阻挡层，设置于该通道层之上；

一栅极电极，设置于该阻挡层之上；

一对源极/漏极电极，设置于该栅极电极两侧且至少延伸穿过部分的该阻挡层；以及

一衬层，顺应性地设置于该对源极/漏极电极的底部以及部分的侧壁上，用以回复或提升二维电子气。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层的材料包含三元化合物半导体，且所述衬层的材料包含六方晶系的二元化合物半导体或石墨烯。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬层的材料包含氮化铝、氧化锌、氮化铟、或前述材料的组合。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述源极/漏极电极还延伸至该通道层中。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬层还顺应性地设置于所述源极/漏极电极的底部与所述通道层之间、以及所述源极/漏极电极的底部与所述阻挡层之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬层还顺应性地设置于所述阻挡层的上表面上。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述装置包括：

一掺杂的化合物半导体区块，设置于所述栅极电极与所述阻挡层之间。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述衬层还顺应性地设置于所述掺杂的化合物半导体区块的侧壁上。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述装置还包括：

一保护层，顺应性地设置于所述掺杂的化合物半导体区块的侧壁上和所述阻挡层的上表面上，其中所述保护层与所述衬层于该阻挡层的上表面相接。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述衬层的材料不同于该保护层的材料。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在一基底之上形成一通道层；

在该通道层之上形成一阻挡层；

凹蚀所述阻挡层，以形成至少穿过部分的所述阻挡层的一对凹陷；

在所述凹陷的底部以及侧壁上顺应性地形成一衬层，所述衬层用以回复或提升二维电子气；

在所述凹陷的各自剩余部分中形成一对源极/漏极电极；以及

在所述阻挡层之上形成一栅极电极，其中所述源极/漏极电极位于该栅极电极两侧。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包含三元化合物半导体，且所述衬层的材料包含六方晶系的二元化合物半导体或石墨烯。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述衬层的材料包含氮化铝、氧化锌或氮化铟、或前述材料的组合。

14.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，凹蚀所述阻挡层的步骤还包含：凹蚀所述通道层，使得所述凹陷穿过所述阻挡层且还延伸至所述通道层中。

15.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述衬层还顺应性地形成于所述阻挡层的上表面上。

16.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述阻挡层之上形成一掺杂的化合物半导体区块，其中栅极电极形成于所述掺杂的化合物半导体区块之上。