[发明专利]阻变存储器件

权利要求书

1.一种阻变存储器件，包括：

下电极；

铁电材料层，其设置在下电极上；

电阻切换材料层，其设置在铁电材料层上；以及

上电极，其设置在电阻切换材料层上；

其中阻变存储器件进一步包括位于上电极和电阻切换材料层之间的界面绝缘层，以及

其中界面绝缘层的形成或分解通过下电极和上电极之间的外部电压来控制。

2.根据权利要求1所述的阻变存储器件，其中，电阻切换材料层直接设置在铁电材料层上。

3.根据权利要求1所述的阻变存储器件，其中，铁电材料层中的剩余极化对电阻切换材料层施加电吸引力或电排斥力。

4.根据权利要求1所述的阻变存储器件，其中，从上电极移除施加的电压之后，铁电材料层中的剩余极化诱导电荷在铁电材料层与电阻切换材料层之间的界面处累积。

5.根据权利要求4所述的阻变存储器件，其中，诱导电荷产生穿过电阻切换材料层的电场，所述电场控制电阻切换材料层中的电荷的移动。

6.根据权利要求1所述的阻变存储器件，其中，电阻切换材料层包括可移动的氧离子。

7.根据权利要求6所述的阻变存储器件，

其中，在将正电压施加到上电极的条件下，则上电极与可移动的氧离子结合而形成位于电阻切换材料层与上电极之间的界面绝缘层；以及

其中，在将负电压施加到上电极的条件下，则可移动的氧离子从界面绝缘层中释放，界面绝缘层分解。

8.根据权利要求7所述的阻变存储器件，

其中，在施加到上电极的正电压在铁电材料层中形成具有从上电极朝向下电极的取向的第一剩余极化的条件下，则第一剩余极化减小从界面绝缘层中释放的可移动的氧离子的数量；以及

其中，在施加到上电极的负电压在铁电材料层中形成具有从下电极朝向上电极的取向的第二剩余极化的条件下，则第二剩余极化减小电阻切换材料层中的朝向上电极移动的可移动的氧离子的数量。

9.根据权利要求1所述的阻变存储器件，其中，电阻切换材料层包括钙钛矿型氧化物材料。

10.根据权利要求9所述的阻变存储器件，其中，钙钛矿型氧化物材料包括以下材料中的至少一种材料：PCMO材料，即Pr_1-xCa_xMnO₃材料，其中，0x1；LCMO材料，即La_1-xCa_xMnO₃材料，其中，0x1；BSCFO材料，即Ba_0.5Sr_0.5Co_0.8Fe_0.2O_3-δ材料；YBCO材料，即YBa₂Cu₃O_7-x材料，其中，0x1；(Ba,Sr)TiO₃材料，其经Cr、Nb掺杂；SrZrO₃材料，其经Cr、V掺杂；(La,Sr)MnO₃材料；Sr_1-xLa_xTiO₃材料，其中，0x1；La_1-xSr_xFeO₃材料，其中，0x1；La_1-xSr_xCoO₃材料，其中，0x1；SrFeO_2.7材料；LaCoO₃材料；RuSr₂GdCu₂O₃材料；和YBa₂Cu₃O₇材料。