[发明专利]基于超表面的凸面共形卡塞格伦涡旋场天线有效
申请号: | 201810584411.8 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108808248B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 杨锐;高东兴;高鸣;李冬;张澳芳;李佳成 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01Q13/02 | 分类号: | H01Q13/02;H01Q15/00;H01Q15/14;H01Q15/16;H01Q19/19 |
代理公司: | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人: | 王品华;朱红星 |
地址: | 710071 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 表面 凸面 共形卡塞格伦 涡旋 天线 | ||
1.一种基于超表面的凸面共形卡塞格伦涡旋场天线,包括载体(1)、主反射镜(2)、副反射镜(3)、馈源(4)和支撑结构(5),主反射镜(2)与载体(1)共形,馈源(4)采用角锥喇叭天线,支撑结构(5)由四根硬质塑料棍组成,每根塑料棍分别连接主反射面(2)和副反射面(3)的同侧端点,其特征在于:
载体(1)采用凸面结构;主反射镜(2)采用基于广义斯涅尔定律构建的相位突变凸面超表面结构;副反射镜(3)采用基于广义斯涅尔定律构建的双曲特性相位突变超表面结构;
所述主反射镜(2),包括主介质层(21)、主反射层(22)和主相位调控层(23),该主相位调控层(23)由m×n个均匀排布的主金属环微结构(231)组成,且每个主金属环微结构(231)的相位补偿数值不同,所有主金属环微结构(231)按螺旋状整体分布,用于产生涡旋电磁波,m≥12,n≥12。
2.根据权利要求1所述的天线,其特征在于:载体(1)采用凸面结构,该凸面结构为抛物线平移后形成的凸状抛物面柱形结构,且沿柱形表面母线的垂直方向从中心到两侧边缘向下弯曲,弯曲程度遵从开口向下的抛物面方程,中心厚度大于边缘厚度。
3.根据权利要求1所述的天线,其特征在于:主反射镜(2)与载体(1)的共形,为中心镂空结构,且镂空横截面大小与角锥喇叭天线波导部分的截面大小相同,镂空位置安装馈源(4)。
4.根据权利要求1所述的天线,其特征在于:所述主介质层(21)为凸面结构,其上表面印制主相位调控层(23),其下表面印制主反射层(22)。
5.根据权利要求1所述的天线,其特征在于:每个主金属环微结构(231)的尺寸由其所在位置的入射电磁波相对于主反射镜(2)的入射角θi1和相位补偿数值Φ(x,y,z)决定:
其中dΦ=k(sinθi1-sinθr1)dr表示Φ(x,y,z)对r的导数,其中θi1为入射电磁波相对于主反射镜(2)的入射角,θr1为反射电磁波相对于主反射镜(2)的反射角,k为电磁波传播常数,f为主反射镜(2)的焦距,M表示电磁涡旋的模态值,θ为涡旋角度,Φ0为任意常数相位值;以主反射镜(2)上表面中心为坐标原点建立笛卡尔坐标系,x轴沿柱面弯曲方向,y轴沿柱面母线方向,z轴与x轴和y轴垂直;
所有主金属环微结构(231),从中心到边缘的相位梯度逐渐变大。
6.根据权利要求1所述的天线,其特征在于:所述副反射镜(3)为正方形结构,包括副介质层(31)、副反射层(32)和副相位调控层(33);该副介质层(31)上表面印制副反射层(32),下表面印制副相位调控层(33)。
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