[发明专利]一种具有类倒棱台绒面结构的金刚线切割多晶硅片及其制绒方法有效
申请号: | 201810584997.8 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108666380B | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 万鹏;沈志妹;管自生 | 申请(专利权)人: | 南京纳鑫新材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 曹翠珍 |
地址: | 210037 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 倒棱台 硅片表面 绒面结构 多晶硅 多晶硅片 线切割 黑硅 制绒 双氧水 硅片表面损伤层 混合溶液中 浸入 太阳能电池 表面修正 近似圆形 反射率 棱台面 钝化 孔深 棱数 去除 制备 添加剂 修正 制作 | ||
1.具有类倒棱台绒面结构的金刚线切割多晶硅片的制绒方法,所述具有类倒棱台绒面结构的金刚线切割多晶硅片,具有以下特征:
(1)棱数为3到10棱之间;
(2)倒棱台两底面呈近似圆形或椭圆形,或方边圆弧结合;
(3)孔底部棱台面与硅片表面的夹角范围在0°-90°之间;
(4)此结构尺寸均匀、孔径为400nm~1.5mm、孔深200~500nm;
在多晶硅硅片表面上,所述的类倒棱台绒面结构是随机分布的,并相互之间有叠加;
其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、多晶硅硅片表面损伤层去除:用碱抛法或者酸抛法去除多晶硅硅片表面损伤层;
步骤二、黑硅制作:采用金属离子辅助刻蚀法进行黑硅制作;
步骤三、多晶硅硅片表面修正:将上制的黑硅进行表面修正、水洗后,浸入10%-45%双氧水和1%-10%添加剂的混合溶液中,在多晶硅硅片表面制得类倒棱台结构;
所述的添加剂为聚乙烯吡咯烷酮、聚羧酸钠、十八烷基二甲基胺乙内酯的混合物;
步骤四、多晶硅硅片的清洗与烘干。
2.权利要求1所述的具有类倒棱台绒面结构的金刚线切割多晶硅片的制绒方法,其特征在于步骤三的表面修正是将黑硅置于含有10%-65%硝酸,1%-25%氢氟酸的溶液中浸泡,温度为2-25℃,时间为30s-360s。
3.权利要求1所述的具有类倒棱台绒面结构的金刚线切割多晶硅片的制绒方法,其特征在于步骤三的所述的添加剂中聚乙烯吡咯烷酮、聚羧酸钠、十八烷基二甲基胺乙内酯的质量比为1-2:1-2:1-2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京纳鑫新材料有限公司,未经南京纳鑫新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810584997.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的