[发明专利]被加工物的切削方法在审
申请号: | 201810585752.7 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN109148367A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 田中诚;许贵俊;陈志吉 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件区域 被加工物 引导槽 外周剩余区域 分割预定线 切削刀具 期望 切削 卡盘工作台 加工步骤 切入 切削槽 相反侧 缺损 板状 端材 刃尖 外周 芯片 | ||
提供被加工物的切削方法,抑制正面缺损的产生,防止在外周剩余区域形成端材芯片。板状的被加工物在正面上具有在由交叉的多条分割预定线划分的多个区域分别形成有器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域,该方法在被加工物的器件区域形成期望深度的切削槽,具有如下步骤:引导槽形成步骤,使切削刀具从被加工物的外周沿着分割预定线切入至卡盘工作台所保持的被加工物,在从外周到器件区域的一部分的范围内形成比期望深度浅的引导槽;和器件区域加工步骤,使切削刀具朝向器件区域的引导槽下降而切入引导槽,将切削刀具的刃尖定位于期望深度,然后沿着分割预定线超过器件区域的相反侧的端部而在外周剩余区域的一部分的范围内形成期望深度的槽。
技术领域
本发明涉及半导体晶片、贴合晶片、封装晶片等被加工物的切削方法。
背景技术
公知有利用切削刀具对形成有各种器件的半导体晶片、形成有LED等光器件的光器件晶片、将多个器件芯片用树脂进行模制而成的封装基板等各种板状的被加工物进行切削而分割成各个器件芯片的切削装置。
这样的被加工物在正面上具有形成有多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域,当利用切削刀具对器件区域进行分割时,有时一起被分割的外周剩余区域的端材芯片发生飞散而使切削刀具破损。
因此,为了确保端材芯片不飞散,在专利文献1或专利文献2中提出了如下的加工方法:在将端材芯片的面积维持得较大的状态下结束加工。
专利文献1:日本特开2014-204015号公报
专利文献2:日本特开2015-076561号公报
特别是在贴合了两张晶片而得的贴合晶片中,在外周的粘贴不充分的情况下,当外周被分割成芯片时,端材芯片容易飞散,因此有时实施仅对器件区域进行选择性地切割的加工方法。
在这样的加工方法的情况下,切削刀具利用所谓劈斩式切削而切入至被加工物从而实施加工,但与在水平方向上进行加工的横动切削相比,劈斩式切削的加工速率较高,因此存在形成在被加工物正面上的缺损(崩边)容易变大的课题。
发明内容
本发明是鉴于这样的问题而完成的,其目的在于提供被加工物的加工方法,能够抑制劈斩式切削所导致的正面缺损的产生,并且能够防止在外周剩余区域形成端材芯片。
根据本发明,提供被加工物的切削方法,在板状的被加工物的器件区域形成期望的深度的切削槽,该板状的被加工物在正面上具有该器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域,该器件区域在由交叉的多条分割预定线划分的多个区域中分别形成有器件,该被加工物的切削方法的特征在于,具有如下的步骤:保持步骤,利用卡盘工作台的保持面对被加工物进行保持;引导槽形成步骤,使切削刀具从被加工物的外周沿着该分割预定线切入至该卡盘工作台所保持的被加工物,在从该外周到该器件区域的一部分的范围内形成比该期望的深度浅的引导槽;第一退避步骤,在形成了该引导槽之后,使该切削刀具上升而使该切削刀具从被加工物退避;器件区域加工步骤,在实施了该第一退避步骤之后,使该切削刀具朝向该器件区域的该引导槽下降而切入至该引导槽,将该切削刀具的刃尖定位于该期望的深度,然后沿着该分割预定线超过该器件区域的相反侧的端部而在该外周剩余区域的一部分的范围内形成该期望的深度的槽;以及第二退避步骤,在实施了该器件区域加工步骤之后,留出该外周剩余区域的一部分而使该切削刀具上升,从而使该切削刀具从被加工物退避,当在该器件区域加工步骤中使该切削刀具朝向被加工物下降而切入时,通过该引导槽来抑制在被加工物的正面上产生缺损。
优选本发明的被加工物的切削方法还具有如下的带粘贴步骤:在实施该保持步骤之前,在被加工物的背面侧粘贴划片带,在该保持步骤中,利用该卡盘工作台的保持面隔着该划片带对被加工物进行保持,在该器件区域加工步骤中,使该切削刀具的刃尖切入至该划片带而形成该期望的深度的槽从而将被加工物完全切断。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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