[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在基板上的多个沟道结构，所述多个沟道结构中的每个沟道结构在垂直于所述基板的上表面的第一方向上延伸，并具有栅极绝缘层和沟道层；

公共源极延伸区，在所述基板和所述多个沟道结构之间，所述公共源极延伸区包括具有n型导电性的第一半导体层；

多个栅电极，在所述公共源极延伸区上并在所述多个沟道结构的每个的侧壁上在所述第一方向上彼此间隔开；以及

在所述基板上的公共源极区，所述公共源极区与所述公共源极延伸区接触并包括具有n型导电性的第二半导体层，

其中所述多个沟道结构的每个的所述栅极绝缘层延伸以覆盖所述公共源极延伸区的上表面以及底表面的至少一部分。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘层的一部分从所述沟道层的侧壁延伸，并且所述栅极绝缘层的所述部分覆盖所述公共源极延伸区的所述上表面、侧壁以及所述底表面的一部分。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述公共源极延伸区的所述底表面的一部分与所述公共源极区接触。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二半导体层的上表面处于低于所述公共源极延伸区的所述上表面或与所述公共源极延伸区的所述上表面相同的水平面。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

基底层，在所述公共源极延伸区与所述基板之间并具有n型导电性；以及

下绝缘层，在所述基底层与所述公共源极延伸区之间。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述公共源极区的底表面处于与所述基底层的底表面相同的水平面，并且

所述多个沟道结构通过所述下绝缘层而与所述基板电绝缘。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述栅极绝缘层的一部分在所述公共源极延伸区和所述下绝缘层之间。

8.如权利要求5所述的半导体器件，其中底切区域在所述下绝缘层的在所述公共源极延伸区和所述基底层之间的部分中，并且所述公共源极区包括填充所述底切区域并接触所述下绝缘层的突起。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述公共源极区还包括支撑层，该支撑层在所述第二半导体层上、与所述公共源极延伸区间隔开并经由所述公共源极区的所述第二半导体层电连接到所述公共源极延伸区。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述支撑层的上表面处于比所述公共源极延伸区的所述上表面高的水平面。

11.如权利要求9所述的半导体器件，还包括在所述公共源极区上的公共源极线，其中所述支撑层围绕所述公共源极线的下侧壁。

12.一种半导体器件，包括：

基底层，在基板上并具有n型导电性；

公共源极延伸区，在所述基底层上并包括具有n型导电性的第一半导体层；

多个沟道结构，在所述公共源极延伸区上并在垂直于所述基板的上表面的第一方向上延伸，所述多个沟道结构的每个具有栅极绝缘层和沟道层；

多个栅电极，在所述公共源极延伸区上并在所述多个沟道结构的每个的侧壁上在所述第一方向上彼此间隔开；以及

在所述基板上的公共源极区，所述公共源极区与所述公共源极延伸区的底表面的一部分接触并包括具有n型导电性的第二半导体层，

其中所述多个沟道结构的每个的所述栅极绝缘层的一部分延伸以覆盖所述公共源极延伸区的上表面以及所述底表面的至少一部分。

13.如权利要求12所述的半导体器件，还包括在所述基底层和所述公共源极延伸区之间的下绝缘层，所述多个沟道结构通过所述下绝缘层而与所述基板电绝缘。