[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201810586267.1 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108597996A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 汪旭东;郭裕东;林宗德;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 武振华;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 衬底 半导体 堆叠层 退火 压应力薄膜 剥落现象 表面形成 退火工艺 高应力 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的表面形成HfO2薄膜与第一压应力薄膜的堆叠层；
采用第一退火工艺对所述半导体衬底以及所述堆叠层进行退火。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
在所述堆叠层中，所述第一压应力薄膜堆叠于所述HfO2薄膜上，或者所述HfO2薄膜堆叠于所述第一压应力薄膜上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一退火工艺的退火温度为150摄氏度至420摄氏度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述HfO2薄膜用于形成栅氧化层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：
形成张应力层和/或压应力层，所述张应力层和/或压应力层覆盖所述堆叠层；
采用第二退火工艺对所述半导体衬底进行退火。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在采用第一退火工艺对所述半导体衬底以及所述堆叠层进行退火之前，还包括：
形成张应力层和/或压应力层，所述张应力层和/或压应力层覆盖所述堆叠层。
7.根据权利要求5或6所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述张应力层的材料包括氮化硅。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述堆叠层中，所述第一压应力薄膜堆叠于所述HfO2薄膜上，在形成HfO2薄膜与第一压应力薄膜的堆叠层之前，还包括：
在所述半导体衬底表面形成第二压应力薄膜，所述堆叠层堆叠于所述第二压应力薄膜上。
9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在形成所述堆叠层之前，还包括：
采用第三退火工艺，对所述半导体衬底与所述第二压应力薄膜进行退火。
10.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，
采用ALD淀积工艺形成所述HfO2薄膜，所述ALD淀积工艺的淀积温度为150摄氏度至450摄氏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
