[发明专利]嵌入式金属绝缘体金属结构

说明书

本发明实施例描述一种形成金属绝缘体金属(MIM)去耦电容器的方法，所述金属绝缘体金属去耦电容器可集成(或嵌入)到例如衬底上晶片上芯片(CoWoS)芯片封装或集成扇出型(InFO)芯片封装的3D集成电路封装中。举例来说，方法包含提供玻璃载体，在玻璃载体上方具有保护层。方法还包含通过以下来在保护层上形成电容器：在保护层的一部分上形成底部金属层；在底部金属层上形成一或多个第一金属触点和第二金属触点，其中一或多个第一金属触点具有大于第二金属触点的宽度；在一或多个第一金属触点上形成介电层；以及在介电层上形成顶部金属层。

技术领域

本发明实施例是有关于一种嵌入式金属绝缘体金属结构及其制造方法。

背景技术

去耦电容器(decoupling capacitors)可内置到芯片中以例如在最初对芯片供电时或在启用芯片的各种组件时防止电源中的电压尖峰。在芯片制造工艺中，去耦电容器可在芯片的封装期间或之后于最后段制程中集成。

发明内容

本发明实施例提供一种形成插入件结构的方法，所述方法包括：提供其上具有保护层的载体基板；以及在所述保护层上形成电容器，其中形成所述电容器包括：在所述保护层的一部分上沉积底部金属层，其中所述底部金属层包括重布层；在所述底部金属层上方沉积光阻层；蚀刻所述光阻层以在所述光阻中形成多个插入件穿孔开口，其中所述多个插入件穿孔开口暴露所述底部金属层的多个相应部分；在所述多个插入件穿孔开口中沉积金属堆叠以形成多个插入件穿孔；去除所述光阻层；在所述多个插入件穿孔之间设置模制化合物；在所述模制化合物和所述多个插入件穿孔上沉积介电层；以及在所述介电层上沉积顶部金属层以形成所述电容器。

附图说明

当结合附图阅读以下详细描述会最好地理解本发明实施例的各方面。应注意，根据行业中的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据本发明一些示例性实施例的嵌入于集成扇出型封装中的示范性金属绝缘体金属电容器的形成的示范性制造工艺的流程图。

图2示出根据本发明一些示例性实施例的具有顶部保护层的玻璃载体的横截面图。

图3示出根据本发明一些示例性实施例在形成重布层之后具有顶部保护层的玻璃载体的横截面图。

图4示出根据本发明一些示例性实施例的重布层上方的图案化光刻胶层的横截面图。

图5示出根据本发明一些示例性实施例在铜晶种层沉积之后重布层上方的图案化光刻胶层的横截面图。

图6示出根据本发明一些示例性实施例在铜电镀工艺和后续化学机械平坦化操作之后重布层上方的图案化光刻胶层的横截面图。

图7示出根据本发明一些示例性实施例的具有形成于其上的重布层和插入件穿孔的玻璃载体衬底的横截面图。

图8示出根据本发明一些示例性实施例的附接到玻璃载体的顶部保护层的管芯的横截面图。

图9示出根据本发明一些示例性实施例的其上具有重布层、插入件穿孔以及嵌入于模制化合物中的管芯的玻璃载体的横截面图。

图10示出根据本发明一些示例性实施例的部分形成的金属绝缘体金属电容器上的金属/介电堆叠上方的图案化光刻胶层的横截面图。

图11示出根据本发明一些示例性实施例的玻璃载体上方的金属绝缘体金属电容器的横截面图。

图12示出根据本发明一些示例性实施例的玻璃载体上方的金属绝缘体金属电容器上的重布层的横截面图。

图13示出根据本发明一些示例性实施例的玻璃载体上方的金属绝缘体金属电容器上的两个重布层的横截面图。