[发明专利]一种高功率射频开关

权利要求书

1.一种高功率射频开关，其特征是包括串联单元，变压器单元和并联单元，其中串联单元的输入端连接RFin射频输入信号端口，串联单元的控制端连接VC控制信号端口，串联单元的输出端连接RFout射频输出信号端口；变压器单元的初级线圈正极（i+）连接RFout射频输出信号端口，变压器单元的初级线圈负极（i-）连接至地，变压器单元的次级线圈正极（o+）连接并联单元a端口，变压器单元的次级线圈负极（o-）连接至地；并联单元的控制端口连接VCF控制信号端口，并联单元b端口连接至地；所述VC控制信号和VCF控制信号是一对反相信号。

2.根据权利要求1所述的一种高功率射频开关，其特征是所述串联单元包括M1晶体管和R1电阻；其中，M1晶体管的源极连接RFin射频输入端口，M1晶体管的漏极连接RFout射频输出端口，M1晶体管的栅极连接R1电阻的A端；R1电阻的B端连接VC控制信号端口。

3.根据权利要求1所述的一种高功率射频开关，其特征是所述变压器单元包括T1变压器；T1变压器的初级线圈正极（i+）连接RFout射频输出端口，T1变压器的初级线圈负极（i-）连接至地，T1变压器的次级线圈正极（o+）连接并联单元a端口，T1变压器的次级线圈负极（o-）连接至地。

4.根据权利要求1所述的一种高功率射频开关，其特征是所述并联单元包括M2晶体管，R2电阻；其中M2晶体管的漏极连接变压器单元的次级线圈正极（o+），M2晶体管的栅极连接R2电阻的A端，M2晶体管的源极连接至地；R2电阻的B端连接VCF控制信号端口。

5.根据权利要求1所述的一种高功率射频开关，其特征在于，所述VC控制信号端口和VCF控制信号端口输出的信号是一对反相控制信号，当VC控制信号端口输出为高电平、VCF控制信号端口输出为低电平时，M1晶体管打开，M2晶体管关闭，此时射频输入信号通过M1晶体管输出至射频输出端口，当变压器初级线圈和次级线圈匝数比为N：1时，施加在并联单元上的电压仅为射频输出端口电压的1/N；当VC控制信号端口输出为低电平、VCF控制信号端口输出为高电平时，M1晶体管关闭，M2晶体管打开，开关工作在关闭状态，T1变压器将M1晶体管的泄露信号耦合至并联单元，并通过晶体管M2连接至地，保证开关在关闭状态时的隔离度。