[发明专利]一种显示面板及显示装置在审
| 申请号： | 201810588070.1 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN108807479A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吴柏贤;冯佑雄 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示面板 阴极层 折射率 光学膜层 抗反射层 衬底基板 显示装置 发光层 阳极层 影响显示面板 折射率差异 显示效果 反射率 光提取 环境光 全反射 膜层 色偏 | ||
【权利要求书】：
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板之上的阳极层，位于所述阳极层之上的发光层，位于所述发光层之上的阴极层，位于所述阴极层之上用于改善色偏和光提取的光学膜层，以及位于所述阴极层与所述光学膜层之间的抗反射层；
所述抗反射层的折射率大于所述阴极层的折射率且小于所述光学膜层的折射率。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述抗反射层的折射率在0.5～1之间。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述抗反射层的吸收系数小于3。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述抗反射层的厚度小于20nm。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述抗反射层的厚度在5nm～10nm之间。
6.如权利要求1～5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述抗反射层的材料为金属或合金。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述抗反射层的材料为钙、锂或金中的一种或至少两种构成的合金。
8.如权利要求1～5任一项所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述衬底基板与所述阳极层之间的反射层。
9.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1～8任一项所述的显示面板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
