[发明专利]基板处理设备

说明书

公开了一种基板处理设备。该基板处理设备包括：卡盘，其被构造为在被供应工艺气体的腔室的处理空间中支撑基板；以及围绕卡盘的环组件，该环组件包括内环、围绕该内环定位的外环以及驱动器，内环被定位成使得内环的一部分围绕由卡盘支撑的基板的外侧，驱动器被构造成使外环上下移动。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施例涉及一种基板处理设备，并且更具体地涉及一种通过使用等离子体处理基板的设备。

背景技术

为了制造半导体器件，通过执行各种工艺，诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和清洁，在基板上形成期望的图案。其中，蚀刻工艺是去除在基板上形成的膜的选定加热区域的工艺，并且包括湿法蚀刻和干法蚀刻。

对于干法蚀刻，使用一种使用等离子体的蚀刻设备。通常，为了形成等离子体，在腔室的内部空间中形成电磁场，并且电磁场将提供到腔室中的工艺气体激发成等离子体状态。

等离子体是指包括离子、电子和自由基的电离气态。等离子体通过非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场产生。在半导体器件制造工艺中，通过使用等离子体来执行蚀刻工艺。通过使等离子体中所包含的离子颗粒与基板碰撞来执行蚀刻工艺。

发明内容

本发明构思的实施例提供了可以有效地处理基板的基板处理设备。

本发明构思的实施例还提供一种基板处理设备，其可以使在其使用期间在基板周围形成的鞘流(sheath)和等离子体的界面变化最小化。

根据本发明构思的一个方面，提供了一种基板处理设备，该基板处理设备包括：卡盘，该卡盘用于在被供应工艺气体的腔室的处理空间中支撑基板；以及围绕卡盘的环组件，其中该环组件包括内环、围绕该内环定位的外环以及驱动器，该内环定位成使得内环的一部分围绕由卡盘支撑的基板的外侧，该驱动器使外环上下移动。

环组件还可以包括位于内环和外环之间的绝缘构件。

下绝缘构件可以联接到外环的下端。

内环相对于卡盘的相对位置可以是固定的。

内环和外环可以由导电材料形成。

基板处理设备还可以包括位于内环和卡盘之间的金属联接器，并且内环固定到联接器。

环组件还可以包括围绕外环定位的防护构件。

内环可以包括梯度部分，该梯度部分的内侧高于该梯度部分的外侧。

外环的内侧可以高于内环的外侧。

外环可以包括上突起，该上突起的上侧向内突出，并且上突起覆盖绝缘构件的竖直上侧。

内环可以包括下突起，其下侧向外突出，并且绝缘构件位于下突起上。

外环可以调节从工艺气体产生的等离子体与鞘流之间的界面。

绝缘构件可以防止在内环和外环之间产生电弧。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思的上述和其它目的和特征将变得显而易见。

图1是示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的视图；

图2至图4是示出根据第一实施例的环组件的视图；

图2和图3是示出根据基板处理设备的使用，在形成在环组件周围的鞘流与等离子体之间的界面变化的视图；

图4是示出外环升高的状态的视图；

图5是示出根据第二实施例的环组件的视图；

图6是示出根据图5的变型的环组件的视图；