[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池的制备方法在审
申请号: | 201810588778.7 | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN108574047A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 杨英;潘德群;郭学益;陈甜 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 | 代理人: | 张慧;赵静华 |
地址: | 410083 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 前驱体 太阳能电池 制备 生物高分子聚合物 光电转换效率 光阳极 吸光层 电子传输能力 高分子聚合物 电子传输层 空穴传输层 无机添加剂 制备钙钛矿 导电玻璃 己基噻吩 制备生物 聚合物 对电极 上旋 | ||
1.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,在光阳极吸光层的原料中,添加聚合物和/或无机物,聚合物和/或无机物为琼脂糖、壳聚糖、LiI、I2中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)向二甲基甲酰胺中加入PbI2和CH3NH3I,恒温搅拌均匀,形成均匀溶液,得到钙钛矿前驱体;
(2)向二甲基亚砜中加入聚合物和/或无机物,恒温搅拌均匀,形成均匀溶液,得到生物高分子聚合物前驱体或无机添加前驱体;
(3)待步骤(1)所得钙钛矿前驱体和步骤(2)所得生物高分子聚合物前驱体或无机添加前驱体冷却后,在常温下将步骤(2)所得生物高分子聚合物前驱体或无机添加前驱体加入到步骤(1)所得钙钛矿前驱体中,搅拌至其完全混合均匀,得生物高分子聚合物或无机添加钙钛矿溶液;
(4)取导电玻璃,在导电玻璃上制备TiO2电子传输层;
(5)将步骤(3)所得生物高分子聚合物或无机添加钙钛矿溶液旋涂到步骤(4)的TiO2电子传输层上,在加热台上进行退火,得到光阳极吸光层;
(6)在步骤(5)所得光阳极吸光层上旋涂聚(3-己基噻吩-2,5-二基)空穴传输层,再在空穴传输层上镀上Au对电极,即得生物高分子聚合物或无机添加辅助结晶的钙钛矿太阳能电池。
3.根据权利要求2所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,PbI2和CH3NH3I的摩尔比=1:1~3;CH3NH3I的加入量为每毫升二甲基甲酰胺加入0.2~0.5gCH3NH3I。
4.根据权利要求2或3所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,恒温温度为60~80℃,搅拌速度为500~700 r/min,搅拌时间为3.5~5 h。
5.根据权利要求2或3所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,聚合物和/或无机物的加入总量为二甲基亚砜质量的2%~5%。
6.根据权利要求2或3所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,搅拌温度为60~80℃,搅拌速度为500~700 r/min,搅拌时间为3.5~5 h。
7.根据权利要求2或3所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(3)中,步骤(1)所得钙钛矿前驱体和步骤(2)所得生物高分子聚合物前驱体或无机添加前驱体的体积比为1:1~6;搅拌温度为10~30℃,搅拌速度为500~700 r/min,搅拌时间为3~8 h。
8.根据权利要求2或3所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(4)中,具体操作步骤如下:将导电玻璃依次用去离子水、丙酮、乙醇分别清洗15-20 min,干燥后用紫外臭氧清洗机处理除去残留的有机物;将TiO2无水乙醇溶液旋涂至清洗干净的导电玻璃表面,并在450-500℃下退火30-50 min,获得厚度为0.5-0.8 微米的TiO2电子传输层。
9.根据权利要求2或3所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(5)中,具体操作步骤如下:在TiO2电子传输层上旋涂生物高分子聚合物或无机添加钙钛矿薄膜,90-120℃下退火处理10-30min,获得光阳极吸光层。
10.根据权利要求2或3所述的钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤(6)中,具体操作步骤如下:将聚(3-己基噻吩-2,5-二基)旋涂到光阳极吸光层上,再用蒸发镀膜机在空穴传输层上蒸镀Au,所述聚(3-己基噻吩-2,5-二基)厚度为0.5-1 微米,Au的厚度为65-80纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择