[发明专利]一种场发射阵列阴极的制备方法

权利要求书

1.一种场发射阵列阴极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤A：采用切割机将场发射阴极基片表面切割成初始场发射阵列，所述初始场发射阵列中每个初始场发射体的形状为棱形状；

步骤B：清洗步骤A所得初始场发射阵列，然后对初始场发射阵列进行刻蚀，使得初始场发射阵列的中每个初始场发射体的形状成为尖锥状，最终制得场发射阴极阵列；

该制备方法采用机械加工实现图形转移并辅以刻蚀技术优化形貌进行场发射阵列阴极的制备；首先对阴极基片表面切割，形成初始发射体阵列，而后再利用刻蚀技术对初始场发射阵列进行形貌优化，从而制备得到尖锥状的场发射阵列阴极。

2.根据权利要求1所述的一种场发射阵列阴极的制备方法，其特征在于：在进行所述步骤A之前还包括对场发射阴极基片进行预处理。

3.根据权利要求2所述的一种场发射阵列阴极的制备方法，其特征在于：所述预处理的操作包括对场发射阴极基片进行抛磨和清洗。

4.根据权利要求1所述的一种场发射阵列阴极的制备方法，其特征在于：所述刻蚀采用电化学腐蚀、湿法腐蚀或干法刻蚀。

5.根据权利要求1所述的一种场发射阵列阴极的制备方法，其特征在于：所述棱形发射体包括棱柱状发射体、棱锥状发射体、刃型发射体或者楔型发射体。