[发明专利]一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法及修复后的磁体

权利要求书

1.一种烧结取向磁体内部缺陷的修复方法，其特征在于：采用加热渗透对钕铁硼烧结取向磁体的内部缺陷进行修复，包括主相晶粒界面改进、晶界相再分布、晶界相成分及结构调整；修复过程中，除了目标渗透源元素相对于磁体的原子扩散迁移运动以外，目标渗透源与磁体的宏观位置不是相对固定的，而是存在宏观相对运动，该宏观相对运动并不包括球磨运动；所述目标渗透源由35-99.9wt％的渗透助剂和0.1-65wt％可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成，且所述目标渗透源含有金属Ga；在加热渗透前，对所述渗透助剂进行1050℃以上的高温烘烤处理，其中，所述渗透助剂为选自氧化铝、氧化镁、氧化锆、氧化钛中的任一种或多种。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：采用变速率升温和分段保温制度：以3-8℃/min的加热速率升温到500-800℃保温1-20h，然后再以0.5-4℃/min的加热速率缓慢升温到800-1050℃下保温3-40h，之后快速冷却或自然冷却至40-100℃，冷却中磁体继续保持相对于目标渗透源的宏观相对运动，其中第二段升温速率小于第一段升温速率，总渗透时间控制在50h以内。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：可渗透入磁体2:14:1型主相的元素包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy，Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc的任一种或多种元素，以及Fe、Co、Ni、B的任一种或多种元素。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：渗透入晶界相和/或晶界角隅相的元素包括Ga、Nb、Cu、Al、Zr、Ti、O、F、N中的任一种或多种。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于：所述化合物包括上述元素的氧化物、氟化物、碳化物、氮化物、氢化物、合金、固溶化合物。

6.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：所述目标渗透源含有0.1-5wt％、熔点为29.8℃的金属Ga。

7.一种烧结取向钕铁硼磁体内部缺陷的修复方法，依次包括以下步骤：

A、磁体表面处理：去除烧结取向磁体的表面污染物、锈迹及氧化层；

B、配制目标渗透源，所述目标渗透源由35-99.9wt％的渗透助剂和0.1-65wt％可渗透入磁体2:14:1型主相、晶界相、和/或晶界角隅相的元素单质和/或化合物的渗透剂组成，且所述目标渗透源含有金属Ga；在加热渗透前，对所述渗透助剂进行1050℃以上的高温烘烤处理；

C、运动渗透处理：将经过步骤A表面处理的磁体与B步骤配置的预混合的目标渗透源按照1:1-1:100的体积比装入处理设备进行运动渗透处理，在渗透过程中，所述磁体与所述目标渗透源之间始终存在宏观相对运动，但不包括球磨运动；运动渗透中保持真空或惰性气体气氛；

D、运动渗透处理结束后，将磁体与目标渗透源分离，进行回火处理；

E、回火处理后，得到产品。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤C中渗透温度为500-1050℃，时间1-100h。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于：步骤E中回火温度为400-600℃，时间1-20h。

10.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于：所得磁体的易磁化方向沿中心辐射取向。

11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：可渗透入磁体2:14:1型主相的元素包括La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy，Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y、Sc的任一种或多种元素，以及Fe、Co、Ni、B的任一种或多种元素。