[发明专利]氧化炉有效
申请号: | 201810589310.X | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN110579105B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 陈志兵;李旭刚;刘东 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 | ||
1.一种氧化炉,其特征在于,包括:
炉腔,所述炉腔包括由上而下依次划分的工艺区、隔热区、燃烧区和保温区;
工艺舟,设置在所述工艺区,用于承载被加工工件;
进气管路,用于输送工艺气体,且所述进气管路的出气口位于所述燃烧区,所述进气管路的进气口自所述炉腔的底部延伸出去;
隔热结构,设置在所述隔热区,且所述隔热结构使所述隔热区形成进气通道,以供所述燃烧区中的气体通过后流入所述工艺区;
保温结构,设置在所述保温区,且环绕在所述进气管路外周,所述保温结构用于对外界隔热,并对所述进气管路中的所述工艺气体进行预热,所述保温结构包括沿竖直方向间隔设置的多个第二隔热板,以及填充在所述保温区且位于最下层的所述第二隔热板下方的保温腔体;所述保温腔体内填充有保温介质。
2.根据权利要求1所述的氧化炉,其特征在于,所述进气管路包括氢气管和套置在所述氢气管外周的氧气管,其中,所述氢气管用于输送氢气,所述氧气管用于输送氧气;
所述燃烧区用于使所述氢气和部分所述氧气反应生成水蒸气,以为所述工艺区提供湿氧气流。
3.根据权利要求2所述的氧化炉,其特征在于,所述氧气管的出气口低于所述氢气管的出气口。
4.根据权利要求2所述的氧化炉,其特征在于,所述氢气管的上端设有挡部,所述挡部呈穹顶状,且所述挡部的中心设置有用作所述出气口的第一通孔;
所述第一通孔的直径小于所述氢气管的内径。
5.根据权利要求2所述的氧化炉,其特征在于,所述进气管路还包括设置在所述氧气管内侧的热偶护管,所述热偶护管中设置有热电偶,用于检测所述燃烧区的温度;
位于所述燃烧区的所述热偶护管的一端封闭,远离所述燃烧区的所述热偶护管的一端自所述炉腔的底部延伸出去。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的氧化炉,其特征在于,所述隔热结构包括沿竖直方向间隔设置的多个第一隔热板,多个所述第一隔热板的外周壁与所述炉腔的内周壁之间形成环形通道;
每个所述第一隔热板的中心设置有中心孔,所述环形通道和所述中心孔均用作所述进气通道。
7.根据权利要求1-5任意一项所述的氧化炉,其特征在于,所述氧化炉还包括:内层软管和套置在所述内层软管外周的外层软管,其中,
所述内层软管的出气口与所述进气管路的进气口密封连接,所述内层软管的进气口用于与气源连接;
在所述外层软管与所述内层软管之间形成真空空间。
8.根据权利要求1-5任意一项所述的氧化炉,其特征在于,所述炉腔由内炉体构成,且在所述内炉体的外周套置有外炉体;
所述外炉体的底部具有开口,所述内炉体能够通过所述开口相对于所述外炉体上升或下降。
9.根据权利要求8所述的氧化炉,其特征在于,所述氧化炉还包括:第一法兰,所述第一法兰设置在所述内炉体的下端;
所述第一法兰中设置有第二通孔,所述进气管路的进气口经由所述第二通孔延伸出去;在所述进气管路与所述第二通孔之间设置有第一密封圈,用于对二者之间的间隙进行密封。
10.根据权利要求9所述的氧化炉,其特征在于,在所述外炉体的下端还设置有第二法兰,所述第二法兰在所述内炉体位于所述外炉体中时,与所述第一法兰密封对接。
11.根据权利要求10所述的氧化炉,其特征在于,所述内炉体具有上端开口;
所述内炉体的外周壁与所述外炉体的内周壁之间具有间隙;
所述第二法兰中设置有与外界连通的排气口;
所述排气口、所述间隙和所述上端开口构成与所述内炉体的内部连通的排气通道。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造