[发明专利]能够支持多次读操作的存储装置有效
| 申请号： | 201810592537.X | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN109215718B | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 申桂完 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 能够 支持 多次 操作 存储 装置 | ||
1.一种存储装置，该存储装置包括：
第一平面的至少一个第一存储单元；
第二平面的至少一个第二存储单元；以及
控制电路，所述控制电路响应于读命令而按不同的定时对所述至少一个第一存储单元和所述至少一个第二存储单元执行多次读操作，
其中，所述多次读操作包括在第一读时段中对所述至少一个第一存储单元执行的第一读操作和在第二读时段中对所述至少一个第二存储单元执行的第二读操作，并且
其中，所述第一读时段和所述第二读时段中的每一个包括将操作电压施加到漏极选择线的第一时段、将读电压施加到为进行所述第一读操作和所述第二读操作而选择的字线并且将通过电压施加到未选字线的第二时段以及对被选位线进行预充电的第三时段。
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一平面和所述第二平面包括不同数目的存储块。
3.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一平面和所述第二平面包括单级单元SLC。
4.根据权利要求1所述的存储装置，该存储装置还包括电压生成电路，所述电压生成电路产生用于所述第一读操作和所述第二读操作的所述操作电压、所述读电压和所述通过电压。
5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述控制电路控制所述电压生成电路将所述操作电压施加到所述漏极选择线，将所述读电压施加到所选择的字线并且将所述通过电压施加到所述未选字线，并且所述控制电路对所述被选位线进行预充电。
6.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一时段和所述第二时段具有相同的起始定时。
7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一时段和所述第二时段具有不同的起始定时。
8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第二时段和所述第三时段具有相同的起始定时。
9.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述第二时段和所述第三时段具有不同的起始定时。
10.一种存储装置，该存储装置包括：
多个存储平面；以及
控制电路，所述控制电路响应于读命令而进行控制，以按不同的速度对不同的存储平面执行多次读操作，
其中，所述多次读操作中的每次读操作包括将操作电压施加到漏极选择线的第一操作、将读电压施加到为进行所述多次读操作而选择的字线并且将通过电压施加到未选字线的第二操作以及对被选位线进行预充电的第三操作。
11.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述多个存储平面分别包括不同数目的存储块。
12.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述存储平面中的每一个包括单级单元SLC。
13.根据权利要求10所述的存储装置，该存储装置还包括电压生成电路，所述电压生成电路产生用于所述多次读操作的所述操作电压、所述读电压和所述通过电压。
14.根据权利要求13所述的存储装置，其中，所述控制电路控制所述电压生成电路将所述操作电压施加到所述漏极选择线，将所述读电压施加到所选择的字线并且将所述通过电压施加到所述未选字线，并且所述控制电路对所述被选位线进行预充电。
15.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述第一操作和所述第二操作具有相同的起始定时。
16.根据权利要求10所述的存储装置，其中，所述第一操作和所述第二操作具有不同的起始定时。
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