[发明专利]变输出端口的可控太赫兹波功分器

权利要求书

1.一种变输出端口的可控太赫兹波功分器，其特征在于包括二维周期排列的介质柱光子晶体（21）及位于介质柱光子晶体（21）之间的第一控制信号输入端（1）、第二控制信号输入端（2）、第一信号输入端（3）、第二信号输入端（4）、第一信号输出端（5）、第二信号输出端（6）、第一光子晶体谐振环（7）、第二光子晶体谐振环（8）、第三光子晶体谐振环（9）、第四光子晶体谐振环（10）、第一耦合光子晶体介质柱阵列（11）、第二耦合光子晶体介质柱阵列（12）、第三耦合光子晶体介质柱阵列（13）、第四耦合光子晶体介质柱阵列（14）、第五耦合光子晶体介质柱阵列（15）、第六耦合光子晶体介质柱阵列（16）、第七耦合光子晶体介质柱阵列（17）、第八耦合光子晶体介质柱阵列（18）；变输出端口的可控太赫兹波功分器左端设有第一控制信号输入端（1），变输出端口的可控太赫兹波功分器右端设有第二信号输出端（6），变输出端口的可控太赫兹波功分器上端从左到右顺次设有第一信号输入端（3）、第一信号输出端（5）、第二控制信号输入端（2）、第二信号输入端（4），第一控制信号输入端（1）通过分支波导分别与第一信号输出端（5）、第三光子晶体谐振环（9）相连接，第二控制信号输入端（2）通过分支波导分别与第二信号输出端（6）、第二光子晶体谐振环（8）相连接，第一信号输入端（3）通过单模波导和第一光子晶体谐振环（7）相连接，第二信号输入端（4）通过单模波导和第四光子晶体谐振环（10）相连接，第一光子晶体谐振环（7）上方设有第一耦合光子晶体介质柱阵列（11），第一光子晶体谐振环（7）下方设有第二耦合光子晶体介质柱阵列（12），第二光子晶体谐振环（8）上方设有第三耦合光子晶体介质柱阵列（13），第二光子晶体谐振环（8）右方设有第四耦合光子晶体介质柱阵列（14），第三光子晶体谐振环（9）上方设有第五耦合光子晶体介质柱阵列（15），第三光子晶体谐振环（9）右方设有第六耦合光子晶体介质柱阵列（16），第四光子晶体谐振环（10）上方设有第七耦合光子晶体介质柱阵列（17），第四光子晶体谐振环（10）下方设有第八耦合光子晶体介质柱阵列（18），第一控制信号输入端（1）、第二控制信号输入端（2）持续输入控制信号，当仅从第一信号输入端（3）输入太赫兹波时，第二控制信号输入端（2）输入的控制信号从第二信号输出端（6）输出，当仅从第二信号输入端（4）输入太赫兹波时，第一控制信号输入端（1）输入的控制信号从第一信号输出端（5）输出，当第一信号输入端（3）、第二信号输入端（4）均输入太赫兹波时，第一信号输出端（5）、第二信号输出端（6）无太赫兹波输出，从而实现变输出端口的可控太赫兹波功分器功能。

2.根据权利要求1所述的一种变输出端口的可控太赫兹波功分器，其特征在于所述的介质柱光子晶体（21）沿X-Z平面呈正方周期性分布的光子晶体阵列，材料为硅，折射率为3.42，介质柱光子晶体（21）半径为40~42μm，介质柱光子晶体（21）圆心之间的距离为200~202μm。

3.根据权利要求1所述的一种变输出端口的可控太赫兹波功分器，其特征在于所述的第一光子晶体谐振环（7）、第二光子晶体谐振环（8）、第三光子晶体谐振环（9）、第四光子晶体谐振环（10）形状结构相同，均由中心介质柱光子晶体（19）和环绕四周的十二个小介质柱光子晶体（20）组成，中心介质柱光子晶体（19）半径为180~182μm，小介质柱光子晶体（20）半径为26~28μm。

4.根据权利要求1所述的一种变输出端口的可控太赫兹波功分器，其特征在于所述的第一耦合光子晶体介质柱阵列（11）、第二耦合光子晶体介质柱阵列（12）、第三耦合光子晶体介质柱阵列（13）、第四耦合光子晶体介质柱阵列（14）、第五耦合光子晶体介质柱阵列（15）、第六耦合光子晶体介质柱阵列（16）、第七耦合光子晶体介质柱阵列（17）、第八耦合光子晶体介质柱阵列（18）均由三个小介质柱光子晶体（20）沿X-Z平面呈正方周期性分布组成，小介质柱光子晶体（20）半径为26~28μm，小介质柱光子晶体（20）圆心之间的距离为200~202μm。