[发明专利]新型摆率增强电路、低压差线性稳压器

说明书

本发明适用于电路设计，提供了一种新型摆率增强电路，包括若干MOS管和若干电容；若干电容，用于检测外部输入的反馈电压的变化，当检测到反馈电压发生变化时，向若干MOS管发送控制信号；若干MOS管，用于根据控制信号控制新型摆率增强电路的输出端输出电压的上升或者下降，使得与新型摆率增强电路的输出端相连接的功率调整管的摆率限制得到改善。本发明实施例提供的新型摆率增强电路可以在负载跳变瞬间改善功率调整管的摆率限制，提高了整体的瞬态响应，减小了静态电流。当负载电流瞬态变化或产生开关毛刺和尖峰时，能通过反馈电压快速检测到输出电压的变化，并迅速给功率调整管的栅极电容及弥勒等效电容进行充放电，最终大大改善电路的瞬态特性。

技术领域

本发明属于电路设计，尤其涉及一种新型摆率增强电路、低压差线性稳压器。

背景技术

随着人们生活水平发展，生活中越来越离不开各类便携式电子设备，比如手机、平板电脑等，此类便携式设备通常采用5V或者12V供电，但其芯片内部供电通常在3V以下，而低压差线性稳压器LDO(Low Dropout Regulator)正是此类降压转换的不二选择，LDO的相关电路已经成为电源管理芯片中十分重要的一类电路。LDO具有结构简单、成本较低，芯片面积较小，静态功耗较低等优点。

传统的LDO的相关电路如图1，由于市面上芯片多采用数模混合电路。当芯片正常工作时，由数字信号控制的开关会频繁进行开断，这会引起LDO的负载电流产生频繁的尖峰跳变，为了保证LDO输出稳定，因此要求降压模块需要有较好的瞬态特性。瞬态特性直接受到LDO的带宽及功率管MP的栅端摆率所限制，通常会采用片外电容和提高静态电流的方式来改善瞬态特性，这使得LDO版图面积变大、功耗增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种新型摆率增强电路、低压差线性稳压器，旨在现有技术采用片外电容和提高静态电流的方式来改善瞬态特性，这使得LDO版图面积变大、功耗增加的问题。

本发明是这样实现的，一种新型摆率增强电路，包括若干MOS管和若干电容；

若干所述电容，用于检测外部输入的反馈电压的变化，当检测到所述反馈电压发生变化时，向若干所述MOS管发送控制信号；

若干所述MOS管，与所述电容相连接，用于根据所述控制信号控制所述新型摆率增强电路的输出端输出电压的上升或者下降，使得与所述新型摆率增强电路的输出端相连接的功率调整管的摆率限制得到改善。

进一步地，所述新型摆率增强电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第一电容和第二电容；

所述第一MOS管的源极连接输入电压，所述第一MOS管的漏极连接所述第三MOS管的漏极，所述第一MOS管的栅极依此通过所述第一电容和第二电容连接至所述第四MOS管的栅极；

所述第二MOS管的源极连接所述输入电压，所述第二MOS管的漏极连接所述第四MOS管的漏极，所述第二MOS管的栅极连接所述第五MOS管的栅极，且所述第二MOS管的栅极与漏极相连接；

所述第三MOS管的栅极连接所述第六MOS管的栅极，所述第三MOS管的源极接地，且所述第三MOS管的漏极与栅极相连接；

所述第四MOS管的源极接地；所述第五MOS管的源极连接所述输入电压，所述第五MOS管的漏极连接所述第六MOS管的漏极；所述第六MOS管的源极接地；所述新型摆率增强电路的输出端连接于所述第五MOS管的漏极与所述第六MOS管的漏极之间。

进一步地，所述第一MOS管、第二MOS管和第五MOS管为PMOS管，所述第三MOS管、第四MOS管和第六MOS管为NMOS管。

本发明实施例还提供了一种低压差线性稳压器，包括上述任意一项所述的新型摆率增强电路和低压差线性稳压电路；