[发明专利]背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背表面场GaSb热光伏电池的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：将衬底依次用丙酮、CCl₄、丙酮和无水乙醇超声清洗，除去晶片表面残留的有机杂质；之后用浓度＜20％的稀盐酸清洗，除去表面的氧化层；用去离子水冲洗之后用氮气吹干；

步骤2：用扩散法在衬底上制备有源区，随后分别用丙酮、无水乙醇超声清洗，然后用氮气吹干；

步骤3：将扩散所得的GaSb晶片背部打磨减薄80-100μm，除去背部的Zn扩散层并减薄衬底；

步骤4：在衬底的背面制备n+型背电场层，具体包括如下子步骤：用高能离子注入机将10¹³cm^-2、150-250keV的Te离子注入到去背结后的GaSb晶片背表面；将离子注入后的GaSb晶片在600℃氮气气氛下第一次快速退火处理，退火时间为30-60s；

步骤5：在背电场层上制作背电极，第二次快速退火；

步骤6：在有源区上制作前电极，形成基片；

步骤7：对已经制备前后电极的GaSb电池切割从而达到边缘绝缘、防止电池短路的目的。

2.根据权利要求1所述的背表面场GaSb热光伏电池的制备方法，其中衬底的材料为n型GaSb，前电极的材料为Ti/Au，厚度为Ti层30-50nm，Au层80-100nm。

3.根据权利要求1所述的背表面场GaSb热光伏电池的制备方法，其中有源区的材料为Zn扩散的p型GaSb。

4.根据权利要求1所述的背表面场GaSb热光伏电池的制备方法，其中背电极的材料为Ti/Au，厚度为Ti层30-50nm，Au层80-100nm。