[发明专利]一种n型多晶硅太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种n型多晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一n型多晶硅片，对所述n型多晶硅片进行制绒处理，在所述n型多晶硅片的上表面形成绒面层；

2)接着在所述n型多晶硅片的上表面沉积本征非晶硅层，然后进行第一热处理，使得所述本征非晶硅层变成本征多晶硅层；

3)接着在所述本征多晶硅层的第一区域扩散磷形成第一N型扩散区，在所述本征多晶硅层的第二区域扩散磷形成第二N型扩散区，其中，所述第一N型扩散区的掺杂浓度大于所述第二N型扩散区的掺杂浓度，且所述第一N型扩散区的掺杂浓度小于所述n型多晶硅片的掺杂浓度；

4)接着在所述n型多晶硅片的上表面沉积P型非晶硅，然后进行第二热处理，使得所述P型非晶硅变成P型多晶硅，所述P型多晶硅的掺杂浓度小于所述第一N型扩散区的掺杂浓度；

5)接着在所述n型多晶硅片的下表面沉积钝化层，并对所述钝化层进行选择性刻蚀，以形成多个呈阵列排布的穿孔；

6)接着在所述n型多晶硅片的下表面选择性扩散磷，以在每个所述穿孔处形成第三N型扩散区，其中，所述第三N型扩散区的掺杂浓度大于所述n型多晶硅片的掺杂浓度；

7)接着在所述P型多晶硅表面沉积透明导电层；

8)接着在所述透明导电层表面沉积铜栅电极；

9)在所述步骤8得到的所述n型多晶硅片的下表面金属银层，以使得所述金属银层与所述第三N型扩散区形成点接触；

其中，在所述步骤(3)中，所述第一N型扩散区包括多个第一条形区，所述第二N型扩散区包括多个第二条形区，多个所述第一条形区和多个所述第二条形区分别交替设置，在所述步骤(5)中，所述钝化层的材质为二氧化硅、氮化硅、氧化铝以及氧化锆中的一种或多种，所述钝化层为单层结构或多层结构，所述钝化层的厚度为60-120纳米，所述穿孔的直径为4-8毫米，相邻所述穿孔的间距为5-10毫米。

2.根据权利要求1所述的n型多晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(2)中，所述第一热处理的温度为550-850℃，所述第一热处理的时间为20-50分钟，所述本征多晶硅层的厚度为20-40纳米。

3.根据权利要求1所述的n型多晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(4)中，所述第二热处理的温度为550-850℃，所述第二热处理的时间为20-50分钟，所述P型多晶硅的厚度为30-60纳米。

4.根据权利要求1所述的n型多晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(7)中，所述透明导电层的材质为ITO、FTO或AZO，所述透明导电层的厚度为80-160纳米。

5.根据权利要求1所述的n型多晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(8)中，通过热蒸镀法形成所述铜栅电极，所述铜栅电极的厚度为50-100纳米。

6.根据权利要求1所述的n型多晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(9)中，通过热蒸镀法形成所述金属银层，所述金属银层的厚度为150-200纳米。

7.一种n型多晶硅太阳能电池，其特征在于，采用权利要求1-6任一项所述的方法制造形成的。