[发明专利]一种硅基光伏电池及其制造方法

权利要求书

1.一种硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供一P型单晶硅片，对所述p型单晶硅片进行制绒处理，在所述p型单晶硅片的上表面形成绒面层；

2)利用掩膜在所述P型单晶硅片的下表面选择性扩散硼，以在所述P型单晶硅片的下表面形成多个呈阵列排布的P+掺杂区；

3)接着在所述P型单晶硅片的上表面的局部区域形成第一阻挡层，将所述P型单晶硅片分为第一区和第二区，所述第一阻挡层覆盖所述第一区，且所述第二区未被所述第一阻挡层覆盖，在所述P型单晶硅片的下表面形成第二阻挡层，所述第二阻挡层完全覆盖所述P型单晶硅片的下表面，所述第二区包括多个呈阵列排布的圆形区域，所述圆形区域的直径为5-10毫米，相邻所述圆形区域的间距为5-10毫米；

4)接着将步骤3得到的P型单晶硅片在含氧气氛中进行热处理，在所述P型单晶硅片的上表面形成氧化硅层，使得所述P型单晶硅片中的所述第二区的表面掺杂浓度低于所述P型单晶硅片内部的掺杂浓度；

5)接着去除所述P型单晶硅片的上表面的所述第一阻挡层和所述氧化硅层；

6)接着在所述P型单晶硅片的上表面沉积N型非晶硅，然后进行退火处理，N型非晶硅变成N型多晶硅，所述N型多晶硅的掺杂浓度小于所述P型单晶硅片的掺杂浓度；

7)接着在所述N型多晶硅表面沉积透明导电层；

8)接着对所述第二阻挡层进行选择性刻蚀，以在每个所述P+掺杂区的对应位置形成穿孔，每个所述穿孔暴露相应的每个所述P+掺杂区；

9)在所述步骤8得到的所述P型单晶硅片的上表面沉积铜栅电极；

10)在所述步骤9得到的所述P型单晶硅片的下表面沉积金属铝层，以使得所述金属铝层与所述P+掺杂区形成点接触。

2.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤3)中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的材质为氮化硅或氧化铝，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的厚度为100-150纳米。

3.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤4)中，所述含氧气氛为水蒸气或氧气，所述热处理的温度为600-900℃，所述热处理的时间为10-30分钟。

4.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤5)中，通过湿法刻蚀或干法刻蚀去除所述第一阻挡层和所述氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤6)中，所述退火处理的温度为550-850℃，所述退火处理的时间为20-50分钟，所述N型多晶硅的厚度为30-80纳米。

6.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤7)中，所述透明导电层的材质为ITO、FTO或AZO，所述透明导电层的厚度为60-150纳米。

7.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤8)中，所述穿孔的直径为3-6毫米，相邻所述穿孔的间距为5-10毫米，每个所述穿孔的尺寸与每个所述P+掺杂区的尺寸相同。

8.根据权利要求1所述的硅基光伏电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤9)中，通过热蒸镀法形成所述铜栅电极，所述铜栅电极的厚度为50-100纳米；在所述步骤10)中，通过热蒸镀法形成所述金属铝层，所述金属铝层的厚度为200-300纳米。

9.一种硅基光伏电池，其特征在于，采用权利要求1-8任一项所述的方法制备形成的。