[发明专利]一种用于光伏电池板上的丝网印制工艺在审
申请号: | 201810595805.3 | 申请日: | 2018-06-11 |
公开(公告)号: | CN108847430A | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 佛山市长富制版科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;B41M1/12;B41M1/26;B41M3/06 |
代理公司: | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人: | 陈志超 |
地址: | 528137 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 丝网印制 硅片表面 矽胶层 去除 光伏电池板 减反射膜 湿法腐蚀 制备绒面 烧结 硅片 制作 掩蔽 表面覆盖 参数规范 测试分档 电池芯片 多线切割 干法腐蚀 硅棒切割 硅棒切片 硅片周边 栅线金属 等离子 电极 背电极 碱溶液 扩散层 磷扩散 酸溶液 铜底板 涂布源 背场 刻蚀 磨片 入射 背面 切割 清洗 损伤 测试 扩散 分类 覆盖 | ||
1.一种用于光伏电池板上的丝网印制工艺,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1:硅棒切片:采用多线切割的方式将硅棒切割成正方形或圆形的硅片;
步骤S2:清洗硅片:对切下来的硅片进行清洗,然后用酸(或碱)溶液去除硅片表面30-50um厚的切割损伤层;
步骤S3:制备绒面:用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀,从而在硅片表面制备绒面;
步骤S4:磷扩散:采用涂布源(或液态源,或固态氮化磷片状源)进行扩散并制成PN+结,结深设为为0.3um至0.5um;
步骤S5:周边刻蚀:扩散时,硅片周边表面形成扩散层,通过掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀并去除硅片周边的扩散层;
步骤S6:去除背面PN+结:通过湿法腐蚀或磨片法除去背面PN+结;
步骤S7:制作矽胶层:通过真空镀膜法在硅片表面覆盖一层用于提高入射率的矽胶层;
步骤S8:制作减反射膜:通过真空镀膜法、离子镀膜法,溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法在矽胶层表面覆盖一层用于减少反射的减反射膜,从而构成能够发电的电池芯片;
步骤S9:丝网印制:通过装片-背电极印制-烘干-背场印制-烘干-翻转-正栅线印制-烘干的方法完成背场、背电极、正栅线金属电极的制作;
步骤S10:烧结:将电池芯片烧结于镍或铜底板上;
步骤S11:测试分档:按规定参数规范,测试后进行分类。
2.根据权利要求1所述的用于光伏电池板上的丝网印制工艺,其特征在于,所述步骤S9还包括:在印制时,刮刀的刃口压强保持在10至15N/cm之间。
3.根据权利要求1所述的用于光伏电池板上的丝网印制工艺,其特征在于,所述步骤S9还包括:烘干背场时,将炉内温度设定为大于577摄氏度。
4.根据权利要求1所述的用于光伏电池板上的丝网印制工艺,其特征在于,所述步骤S7还包括:在制作矽胶层时,将硅片置于透明矽胶溶液中采用通电发热、旋转和浸渍方法进行镀胶涂敷处理,静置后取出,等到均匀覆盖在芯片上的矽胶冷却、凝固之后,再放进真空干燥箱内烘干、凝固处理1h,使硅片表面均涂有矽胶层,上述镀胶操作过程需要重复4-5次,以便获得较均匀的矽胶覆盖层。
5.根据权利要求1所述的用于光伏电池板上的丝网印制工艺,其特征在于,所述制作减反射膜的材料包括MgF2、SiO2、Al2O3、SiO、Si3N4、TiO2、Ta2O5中的一种或多种组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的