[发明专利]一种低反射、高吸收电磁屏蔽材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低反射、高吸收电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：

（1）制备高吸收皮革的方法：取天然皮革，

a.通过载体将纳米金属粒子带入天然皮革中的方法；或

b.通过先让金属离子进入天然皮革内部再还原的方法；或

c.通过先让导电高分子单体进入天然皮革内部再加入引发剂原位聚合的方法；

得高吸收皮革备用；

（2）将纳米导电材料涂覆在（1）中所得高吸收皮革表面，即得低反射、高吸收电磁屏蔽材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述天然皮革是以牛皮、羊皮或猪皮为原料，按常规制革方法生产的皮革，包括铬鞣的和其它鞣制方法所制造的真皮皮革。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述载体包括植物单宁、无水乙醇。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米金属粒子为电损耗型纳米金属粒子和/或磁损耗型纳米金属粒子；所述电损耗型纳米金属粒子包括纳米银、纳米铜；所述磁损耗型纳米金属粒子包括纳米四氧化三铁、纳米镍。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属离子包括Ag⁺、Cu²⁺、Co²⁺、Ni²⁺。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属离子进入天然皮革内部再还原步骤中所用还原剂选自植物单宁、硼氢化钠、水合肼、次磷酸钠中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电高分子单体包括吡咯、苯胺、噻吩的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述引发剂选自三氯化铁、过硫酸铵、过硫酸钾中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述纳米导电材料选自纳米银包铜、纳米银、纳米铜、石墨烯、碳纳米管的一种或多种。

10.一种根据权利要求1~9任一所述制备方法制得的低反射、高吸收电磁屏蔽材料。