[发明专利]一种APbX3钙钛矿量子点的室温A位掺杂法

说明书

本发明公开了一种APbX₃钙钛矿量子点的室温A位掺杂法，包括以下步骤：1)、将溴化铅和有机配体溶解在甲苯中，搅拌溶解，得到铅前驱体；将碳酸铯以及醋酸甲脒、醋酸甲胺或碳酸胍溶解在长烷链有机酸中，得到掺杂的A位前驱体，所述掺杂的A位前驱体中包含掺杂A位前驱盐；2)、将步骤1)得到的掺杂的A位前驱体注入到步骤1)的铅前驱体中，充分反应，得到量子点原液；3)、将步骤2)得到的量子点原液离心提纯得到A位掺杂的APbX₃钙钛矿量子点。本发明的APbX₃钙钛矿量子点的室温A位掺杂法通过在CsPbX₃的A位Cs基体上掺杂甲眯、甲胺或胍实现钙钛矿QLED器件性能的提升。掺杂后APbX₃量子点其荧光量子产率PLQY达到90％以上，其QLED的效率(EQE)达到10以上。

技术领域

本发明涉及一种APbX₃钙钛矿量子点的室温A位掺杂法。

背景技术

卤化物钙钛矿量子点因其发光效率高、带隙可调、载流子迁移率高、成本低等优点，被认为是“理想的”LED材料，具有非常广阔的前景。但LED的效率仍处于较低的水平，需要进一步改进和提升。目前LED效率的提升策略多是在高温量子点的基础上进行表面改性、界面调控和掺杂等手段，而低温或室温条件下的量子点质量均较差，也未有有效的改善手段，难以应用于高性能发光器件。因此，温度要求低，操作简便，适用于高性能发光器件应用的CsPbBr₃量子点改善工艺还亟待进一步研究。

因此，需要一种提高钙钛矿QLED的效率的方法以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题，提供一种用于提高APbX₃钙钛矿QLED效率的APbX₃钙钛矿量子点的室温A位掺杂法。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的:

一种APbX₃钙钛矿量子点的室温A位掺杂法，包括以下步骤：

1)、将溴化铅和有机配体溶解在甲苯中，搅拌溶解，得到铅前驱体；将碳酸铯以及醋酸甲脒、醋酸甲胺或碳酸胍溶解在长烷链有机酸中，得到掺杂的A位前驱体，所述掺杂的A位前驱体中包含掺杂A位前驱盐；

2)、将步骤1)得到的掺杂的A位前驱体注入到步骤1)的铅前驱体中，充分反应，得到量子点原液；

3)、将步骤2)得到的量子点原液离心提纯得到A位掺杂的APbX₃钙钛矿量子点。

更进一步的，步骤1)中有机配体为四辛基溴化铵。

更进一步的，步骤1)中所述溴化铅在甲苯中的浓度为0.01～0.05mol/L，所述有机配体在甲苯中的浓度为0.02～0.1mol/L。

更进一步的，步骤2)中掺杂的A位前驱体与铅前驱体的摩尔比为(0.75-1)：1。

更进一步的，步骤1)中所述长烷链有机酸为油酸。

更进一步的，步骤1)中所述掺杂A位前驱盐在长烷链有机酸中的浓度为0.1～0.5mol/L。

更进一步的，步骤2)中反应时间为5-10分钟。

有益效果：本发明的APbX₃钙钛矿量子点的室温A位掺杂法通过在CsPbX₃的A位Cs基体上掺杂甲眯、甲胺或胍实现钙钛矿QLED器件性能的提升。掺杂后APbX₃量子点其荧光量子产率PLQY达到90％以上，其QLED的效率(EQE)达到10以上。

附图说明

图1为实施例1制备的量子点的TEM图。