[发明专利]发光二极管的芯片及其量子阱结构和制造方法在审
| 申请号： | 201810596840.7 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108735867A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 万志;卓祥景;崔晓慧;尧刚;林志伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 宁波理文知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33244 | 代理人： | 李高峰;孟湘明 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子阱结构 发光二极管 量子阱层 依次层叠 芯片 氮化镓缓冲层 发光量子点 电子空穴 发光效率 波函数 阻拦层 衬底 交迭 制造 复合 | ||
1.一发光二极管的芯片，其特征在于，包括：
一衬底；
一缓冲层，其中所述缓冲层层叠于所述衬底；
一N型导电层，其中所述N型导电层层叠于所述缓冲层；
一有源区，其中所述有源区由循环生长的量子垒层和量子阱结构构成，其中所述量子阱结构包括至少两部分量子阱层，每部分所述量子阱层依次层叠且被设置于所述N型导电层之上，其中至少一个部分所述量子阱层形成复合阱；
一P型电子阻拦层，其中所述P型电子阻拦层被设置于所述有源区之上；
一P型导电层，其中所述P型导电层被设置于所述P型电子阻拦层之上；
一N型电极，其中所述N型电极电连接于所述N型导电层；以及
一P型电极，其中所述P型电极电连接于所述P型导电层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的芯片，其中所述量子阱结构为V形阱和阶梯阱的复合。
3.根据权利要求2所述的发光二极管的芯片，其中所述量子阱结构中V形阱靠近所述P型导电层，所述量子阱结构中阶梯阱靠近所述N型导电层。
4.根据权利要求2所述的发光二极管的芯片，其中所述量子阱结构中阶梯阱靠近所述P型导电层，所述量子阱结构中V形阱靠近所述N型导电层。
5.根据权利要求1至4中任一所述的发光二极管的芯片，其中所述有源区的所述量子阱结构的对数为1对-30对。
6.根据权利要求1至4中任一所述的发光二极管的芯片，进一步包括一盖帽层，其中所述盖帽层层叠于所述量子阱结构，所述P型电子阻拦层层叠于所述盖帽层之上。
7.根据权利要求5所述的发光二极管的芯片，进一步包括一盖帽层，其中所述盖帽层层叠于所述量子阱结构，所述P型电子阻拦层层叠于所述盖帽层之上。
8.根据权利要求1至7中任一所述的发光二极管的芯片，其中所述缓冲层为未掺杂缓冲层。
9.根据权利要求8所述的发光二极管的芯片，其中所述缓冲层的厚度为0nm-50nm。
10.根据权利要求1至7中任一所述的发光二极管的芯片，其中所述N型导电层包括硅掺杂的氮化镓材料层。
11.根据权利要求10所述的发光二极管的芯片，其中所述N型导电层的厚度为0μm-6μm。
12.根据权利要求10所述的发光二极管的芯片，其中所述N型导电层的掺杂浓度为0.1-10x1018cm-3。
13.根据权利要求1至12中任一所述的发光二极管，其中所述有源区的所述量子垒层的厚度为1nm-25nm。
14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中所述有源区的所述量子垒层的掺杂浓度为0.1-5x1018cm-3。
15.根据权利要求1至12中任一所述的发光二极管，其中所述有源区的所述量子阱结构的厚度为1nm-10nm。
16.根据权利要求13所述的发光二极管，其中所述有源区的所述量子阱结构的厚度为1nm-10nm。
17.根据权利要求1至7中任一所述的发光二极管，其中所述P型电子阻拦层的厚度尺寸为0.01μm-0.5μm。
18.根据权利要求17所述的发光二极管，其中所述P型电子阻拦层的掺杂浓度为0.1-10x1018cm-3。
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