[发明专利]具有拟接地电位的内存电路

权利要求书

1.一种内存电路，用以进行一高电压操作或一低电压操作以存取一数据，该内存电路包含：

一记忆单元，用以储存该数据；

一内存控制电路，用以控制该记忆单元；以及

一拟接地电压产生电路，与该内存控制电路耦接于一拟接地节点；

其中该内存控制电路包括：

一位准偏移电路，耦接于一可变供应电压，根据一第一地址信号而产生一驱动信号；以及

一驱动电路，耦接于该位准偏移电路、该拟接地节点以及该记忆单元，该驱动电路以该可变供应电压为电源，且根据该驱动信号而产生一存取信息，用以对该记忆单元进行该高电压操作或该低电压操作；

其中于该高电压操作下，该可变供应电压提供一第一供应电位，使得该存取信息的一高位准对应于该第一供应电位，且该拟接地电压产生电路于该拟接地节点提供一拟接地电位，其中该第一供应电位与该拟接地电位的电位差小于该驱动电路的一耐压；

其中于该低电压操作下，该可变供应电压提供一第二供应电位，使得该存取信息的该高位准对应于该第二供应电位，该拟接地电压产生电路将该拟接地节点电连接至一共同接地电位。

2.如权利要求1所述的内存电路，其中该记忆单元根据该第一供应电位与该共同接地电位的电压差而进行该高电压操作。

3.如权利要求1所述的内存电路，其中该第一供应电位与该共同接地电位的电压差大于该耐压。

4.如权利要求1所述的内存电路，其中该第二供应电位与该共同接地电位的电位差小于该耐压。

5.如权利要求1所述的内存电路，还包含一编程开关，用以于该高电压操作时提供该记忆单元一编程接地电位，以进行该高电压操作。

6.如权利要求1所述的内存电路，该内存电路以该高电压操作而对该记忆单元写入该数据。

7.如权利要求1所述的内存电路，其中该驱动电路包括一上拉开关，用以根据该驱动信号而导通该可变供应电压以提供该存取信息的该高位准。

8.如权利要求1所述的内存电路，其中该驱动电路包括一下拉开关，用以根据该驱动信号而导通该拟接地节点以提供该存取信息的一低位准。

9.如权利要求1所述的内存电路，其中该位准偏移电路还耦接于拟接地节点，且还根据该拟接地节点的电位而产生该驱动信号。

10.如权利要求1所述的内存电路，其中该拟接地电压产生电路包括：

一参考电压电路，用以于该高电压操作时提供该拟接地电位；以及

一接地开关，用以于该低电压操作时，导通该共同接地电位至该拟接地节点，且于该高电压操作时关断。

11.如权利要求10所述的内存电路，其中该参考电压电路包括一放大电路，用以根据一参考信号以及一拟接地相关信号的差值而调节该拟接地电位，其中该拟接地相关信号相关于该拟接地电位。

12.如权利要求10所述的内存电路，其中该参考电压电路包括至少一二极管以及一电流源以提供该拟接地电位，其中该电流源提供该至少一二极管的直流操作电流，其中该拟接地电位由该至少一二极管的一顺向电压及/或该至少一二极管的一反向崩溃电压而决定。

13.如权利要求1所述的内存电路，其中该记忆单元包括一非易失性储存元件。

14.如权利要求13所述的内存电路，其中该非易失性储存元件为一浮动栅极快闪储存元件或一一次性可编程储存元件。