[发明专利]一种摩托车磁电机用半波调压器在审
申请号: | 201810597608.5 | 申请日: | 2018-06-11 |
公开(公告)号: | CN108736750A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 向光春;林居全;李红星;付强 | 申请(专利权)人: | 重庆和诚电器有限公司 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217;H02J7/14;H02H9/04;H02H7/125 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 黄河 |
地址: | 401336*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁电机 半波整流电路 摩托车大灯 控制电路 输出电压 负半周 同相位 同频 摩托车磁电机 调压器 正弦波 半波 锯齿波形成电路 采样放大电路 交流电转换 锯齿波电压 脉动直流电 参考电压 触发电路 独立控制 方波电压 同步电路 大灯 受控 | ||
1.一种摩托车磁电机用半波调压器,其特征在于:包括用于将磁电机产生的交流电转换为负半周半波直流电的AC侧半波整流电路以及用于根据磁电机输出电压与摩托车大灯电压来控制AC侧半波整流电路的输出电压的AC侧控制电路;AC侧半波整流电路具有分别用于连接磁电机的电流输入端、用于连接摩托车大灯的电流输出端;AC侧半波整流电路的信号输入端与AC侧控制电路的信号输出端连接;AC侧控制电路包括用于产生与磁电机输出电压同频同相位正弦波的AC侧同步电路、用于产生与正弦波负半周同频同相位的第一锯齿波电压的AC侧锯齿波形成电路、用于根据摩托车大灯电压与第一基准电压产生第一参考电压的AC侧采样放大电路以及用于根据第一参考电压与第一锯齿波电压产生占空比可调的第一方波电压的AC侧受控触发电路;AC侧采样放大电路设有用于连接摩托车大灯正端的信号输入端;所述AC侧同步电路设有用于采集磁电机输出电压的信号输入端,AC侧同步电路的信号输出端与AC侧锯齿波形成电路的信号输入端连接;AC侧受控触发电路的信号输入端分别与AC侧锯齿波形成电路、AC侧采样放大电路的信号输出端连接;AC侧受控触发电路的信号输出端与AC侧半波整流电路的信号输入端连接,从而使得AC侧受控触发电路能够通过第一方波电压来控制AC侧半波整流电路的输出电压。
2.根据权利要求1所述的摩托车磁电机用半波调压器,其特征在于:还包括用于将磁电机产生的交流电转换为正半周半波直流电的DC侧半波整流电路以及用于根据磁电机输出电压与负载电压来控制DC侧半波整流电路的输出电压的DC侧控制电路;DC侧半波整流电路具有分别用于连接磁电机的电流输入端、用于连接负载的电流输出端;DC侧半波整流电路的信号输入端与DC侧控制电路的信号输出端连接;所述DC侧控制电路包括用于产生与磁电机输出电压同频同相位正弦波的DC侧同步电路、用于产生与正弦波正半周同频同相位的第二锯齿波电压的DC侧锯齿波形成电路、用于根据负载电压与第二基准电压产生第二参考电压的DC侧采样放大电路以及用于根据第二参考电压与第二锯齿波电压产生占空比可调的第二方波电压的DC侧受控触发电路;DC侧采样放大电路设有用于连接负载正端的信号输入端;所述DC侧同步电路设有用于采集磁电机输出电压的信号输入端,DC侧同步电路的信号输出端与DC侧锯齿波形成电路的信号输入端连接;DC侧受控触发电路的信号输入端分别与DC侧锯齿波形成电路、DC侧采样放大电路的信号输出端连接;DC侧受控触发电路的信号输出端与DC侧半波整流电路的信号输入端连接,从而使得DC侧受控触发电路能够通过第二方波电压来控制DC侧半波整流电路的输出电压。
3.根据权利要求2所述的摩托车磁电机用半波调压器,其特征在于:AC侧半波整流电路包括可控硅SCR1,可控硅SCR1的阴极与磁电机的正端连接,可控硅SCR1的阳极与摩托车大灯连接;DC侧半波整流电路包括可控硅SCR2,可控硅SCR2的阳极与磁电机的正端连接,可控硅SCR2的阴极与负载连接。
4.根据权利要求3所述的摩托车磁电机用半波调压器,其特征在于:AC侧受控触发电路包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q8、二级管D7、二级管D2、电阻R32以及运算放大器U2B;运算放大器U2B的正输入端、负输入端分别与AC侧锯齿波形成电路信号输出端、AC侧采样放大电路的信号输出端连接;磁电机负极端与三极管Q8的发射极连接,三极管Q8的集电极通过电阻R32与二级管D7的阳极连接,二级管D7的阴极连接到三极管Q2的基极,三极管Q2的发射极连接到磁电机正端,三极管Q2的发射极通过电阻R29连接到可控硅SCR1的门极;可控硅SCR1的阳极连接到二级管D2的阳极端,二级管D2的阴极端连接到三极管Q1的发射极,三极管Q1的基极通过电阻R9与三级管Q2的集电极连接,三极管Q1的集电极通过电阻R2连接到可控硅SCR1的门极。
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