[发明专利]一种三维层状MXene电磁屏蔽泡沫及制备方法

权利要求书

1.一种制备三维层状MXene电磁屏蔽泡沫的方法，其特征在于：所述三维层状MXene电磁屏蔽泡沫为叠层分布的MXene泡沫，所述MXene泡沫是：采用LiF和HCl刻蚀MAX相，其中LiF与HCl混合溶液的比例为5～12M∶6～10M；加入的MAX相为1～3g，获得定向分布、长程有序的层状MXene泡沫；

所述方法的具体步骤如下：

步骤1、采用LiF和HCl刻蚀MAX相制备MXene分散液：将5～12M的LiF与6～10M的HCl混合搅拌，然后向溶液中加入1～3g MAX相搅拌24～48h反应得到混悬液；将混悬液离心处理获得上层黑色溶液即为Mxene，层数为1～5层的分散液；离心处理参数：离心速率为3500～10000rpm，时间为3～30min；所述MXene分散液浓度为3～15mg/mL；

步骤2：将MXene分散液置于模具中，用液氮进行定向冷冻处理；所述模具为楔形底座，底座材料为聚二甲基硅氧烷PDMS，模具其余部分材料为聚四氟乙烯；

步骤3：将冷冻后的MXene分散液和模具置于冷冻干燥机中进行干燥处理，真空干燥时间为36～96h，干燥温度为-73～30℃，干燥结束后脱模，制得叠层分布的MXene泡沫。

2.根据权利要求1所述制备三维层状MXene电磁屏蔽泡沫的方法，其特征在于：所述MAX相纯度>98％，粒径<200μm。

3.根据权利要求1或2所述制备三维层状MXene电磁屏蔽泡沫的方法，其特征在于：所述MAX相为Ti₃AlC₂、Ti₂AlC或Ti₃AlCN。

4.根据权利要求1所述制备三维层状MXene电磁屏蔽泡沫的方法，其特征在于：所述楔形聚二甲基硅氧烷底座的坡度为5～20°。