[发明专利]一种光电平板探测器及其基板结构

权利要求书

1.一种光电平板探测器基板，其特征在于，含有一层有源矩阵基板层、一层光电探测器层、一层闪烁体层，射线经过闪烁体层转化为可见光，可见光再通过光电探测层转化为电子，有源矩阵基板层通过子像素对电子进行信号处理；相对应的，在光电探测层上也有像素通过挡墙互相间隔开并且和有源矩阵基板上的像素一一对应。

2.根据权利要求1所述的光电平板探测器基板，其特征在于，所述光电探测层上的像素尺寸在200um以内，通过光掩模版曝光或者印刷等工艺制程制作。

3.根据权利要求1所述的光电平板探测器基板，其特征在于，所述光电探测层的材料为非晶硅(a-Si)、钙钛矿、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)等。

4.根据权利要求1所述的光电平板探测器基板，其特征在于，所述有源矩阵基板可以为单晶硅、非晶硅、低温多晶硅、金属氧化物、有机半导体等材料。

5.根据权利要求1所述的光电平板探测器基板，其特征在于，所述闪烁体可以为无机或者有机材料，可以通过间接能量转换或者直接能量转换，材料通常为碘化铯(CSI)、碘化钠、硫化锌、非晶硒等。闪烁体也可以不采用，射线直接进入光电探测层并进行能级跃迁，产生电荷积累在有源矩阵基板上。

6.根据权利要求1所述的光电平板探测器基板，其特征在于，所述的像素通过挡墙、黑色矩阵等无机、有机等绝缘材料分开，防止电荷交叉流入或者内建电场干扰其他像素，挡墙的高度为0.2-3um。

7.根据权利要求1所述的光电平板探测器基板，其特征在于，所述的像素大小、形状和有源矩阵像素开口的形状、大小相对应，确保电荷可以完整的流入有源矩阵。

8.根据权利要求1所述的光电平板探测器基板，其特征在于，所述的挡墙可以先制作在有源矩阵基板上也可以用绝缘材料在后期对光电探测层上像素的间隔进行填充。