[发明专利]一种聚酰亚胺电介质薄膜及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201810599986.7 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108841003B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 佟辉;徐菊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 聚酰亚胺 电介质 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种聚酰亚胺电介质薄膜，其特征在于，所述电介质薄膜的分子结构由二酐单体单元和二胺单体单元组成，其中，二酐单体单元中含有极性基团和/或柔性键接结构，二胺单体单元中含有极性基团和/或柔性键接结构；所述聚酰亚胺薄膜电介质的具有下述式I所示的结构通式：
其中，Ar1选自式II或式III中的任意一种：
其中，B1选自—、-O-、中的任意一种；
其中，B2选自-O-、中的任意一种，B3选自-O-、中的任意一种，B2、B3相同；
当Ar1选自式II时，Ar2选自式V或式VI中的任意一种：
其中，R2选自中的任意一种，R3选自中的任意一种，R2与R3相同；
其中，R4选自-O-或中的任意一种，R5选自-O-或中的任意一种，R6选自-O-或中的任意一种，R4、R5与R6相同；
当Ar1选自式III时，Ar2选自式IV、式V或式VI中的任意一种：
其中，R1为-O-、-CH2-、中的任意一种；
其中，R2选自-O-、中的任意一种，R3选自-O-、中的任意一种，R2与R3相同；
其中，R4选自-O-或中的任意一种，R5选自-O-或中的任意一种，R6选自-O-或中的任意一种，R4、R5与R6相同；
n为15～200的整数；
所述聚酰亚胺电介质薄膜的数均分子量(Mn)在8000～80000g/mol之间。
2.如权利要求1所述的聚酰亚胺电介质薄膜，其特征在于，所述的聚酰亚胺薄膜电介质薄膜玻璃化温度在280～390℃范围内，热分解温度在580℃以上；所述聚酰亚胺电介质薄膜相对介电常数在4.15～7.27范围内，介电损耗在0.12％～0.39％范围内，击穿强度最高达640MV/m。
3.制备权利要求1或2所述的聚酰亚胺电介质薄膜的方法，其特征在于，所述聚酰亚胺电介质薄膜由含有极性基团和/或柔性键接结构的二酐单体和含有极性基团和/或柔性键接结构的二胺单体经过缩合聚合，在经后续酰亚胺化处理得到，制备方法如下：
在惰性气体保护下，将基于式IV或式V或式VI所示结构的二胺单体溶解于有机溶剂中，然后加入基于式II或式III的二酐单体，搅拌至全部溶解得到均相溶液并在一定温度下继续反应，得到聚酰胺酸(PAA)溶液；将上述聚酰胺酸溶液涂覆于基底上，经过升温、烘干处理后，浸入去离子水中剥离，然后再次烘干处理，得到所述聚酰亚胺电介质薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所，未经中国科学院电工研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810599986.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
