[发明专利]一种PVD镀膜装置在审
| 申请号： | 201810599996.0 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108754444A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 潘振强;朱惠钦 | 申请（专利权）人： | 广东振华科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/46;C23C14/32 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 曹爱红 |
| 地址： | 526020 广东省肇庆市端*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 工件架 离子源系统 真空室 镀膜 真空磁控溅射镀膜 物理气相沉积 真空镀膜技术 镀膜效果 镀膜效率 镀膜周期 镀膜装置 溅射电源 立式条形 立式旋转 生产效率 磁控靶 离子源 前处理 装载量 靶材 膜层 膜系 制备 多样性 室内 配合 | ||
【权利要求书】：
1.一种PVD镀膜装置，其特征在于：包括真空室，设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源，以及若干双组孪生磁控靶，所述工件架为立式旋转式结构，所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。
2.根据权利要求1所述的PVD镀膜装置，其特征在于：所述真空室为大容积真空室，所述工件架上设有22至28个用于安装工件的安装轴。
3.根据权利要求1所述的PVD镀膜装置，其特征在于：所述双组孪生磁控靶上靶材的数量为20-22个。
4.根据权利要求1至3任一项所述的PVD镀膜装置，其特征在于：所述双组孪生磁控靶上靶材为金属靶材或非金属靶材。
5.根据权利要求1至3任一项所述的PVD镀膜装置，其特征在于：所述溅射电源为高功率、高压溅射电源。
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