[发明专利]三维存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种制作三维存储器的方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区、字线连接区和周边区；

在所述核心区同时形成沟道孔阵列和一个或多个栅极隔槽，且同时在所述周边区形成一个或多个接触孔；

在所述沟道孔阵列的各沟道孔、所述一个或多个栅极隔槽以及所述一个或多个接触孔中都形成存储器膜和沟道层；

在所述半导体结构上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案覆盖所述沟道孔阵列，且暴露所述一个或多个栅极隔槽和所述一个或多个接触孔；

去除所述一个或多个栅极隔槽和所述一个或多个接触孔中的所述沟道层；

在所述一个或多个栅极隔槽中形成绝缘部；以及

在所述一个或多个接触孔中形成接触部。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

形成存储器膜和沟道层的所述步骤还包括：形成填充层，其中所述存储器膜包围所述沟道层并且所述填充层设置在所述沟道层的内侧；以及

去除所述沟道层的步骤还包括：去除所述填充层。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述填充层的方法包括介质层旋涂。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个接触孔中形成接触部之前还包括：在所述一个或多个接触孔中形成绝缘层。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个栅极隔槽中填充所述绝缘部的同时，在所述一个或多个接触孔中形成绝缘层，其中所述绝缘部和所述绝缘层为同一材料。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体结构具有周边电路，所述周边电路分布在所述核心区、所述字线连接区下方和所述周边区下方，在所述一个或多个接触孔中形成接触部时，所述接触部连接所述周边电路。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个栅极隔槽中形成所述绝缘部的方法包括原子层沉积。

8.一种制作三维存储器的方法，包括以下步骤：

提供半导体结构，所述半导体结构具有核心区、字线连接区和周边区；

在所述核心区同时形成沟道孔阵列和一个或多个栅极隔槽，且同时在所述周边区形成一个或多个接触孔；

在所述沟道孔阵列的各沟道孔、所述一个或多个栅极隔槽以及所述一个或多个接触孔中都形成存储器膜、沟道层和牺牲层；

在所述半导体结构上形成硬掩模图案，所述硬掩模图案覆盖所述沟道孔阵列，且暴露所述一个或多个栅极隔槽和所述一个或多个接触孔；

去除所述一个或多个栅极隔槽和所述一个或多个接触孔中的所述沟道层和所述牺牲层；

去除所述硬掩模图案和所述沟道孔阵列中的所述牺牲层；

在所述沟道孔阵列的各沟道孔中形成填充层；

在所述一个或多个栅极隔槽中形成绝缘部；以及

在所述一个或多个接触孔中形成接触部。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个接触孔中形成所述接触部之前还包括：在所述一个或多个接触孔中形成绝缘层。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述沟道孔阵列的各沟道孔中形成所述填充层的同时，在所述一个或多个栅极隔槽中形成所述绝缘部，和/或在所述一个或多个接触孔中形成所述绝缘层，其中所述填充层、所述绝缘部和所述绝缘层为同一材料。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述半导体结构具有周边电路，所述周边电路分布在所述核心区、所述字线连接区下方和所述周边区下方，在所述一个或多个接触孔中形成接触部时，所述接触部连接所述周边电路。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，在所述一个或多个栅极隔槽中形成所述绝缘部的方法包括原子层沉积。