[发明专利]一种LaFeO3/ZnIn2S4复合光催化剂的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810600449.X 申请日: 2018-06-12
公开(公告)号: CN108745378A 公开(公告)日: 2018-11-06
发明(设计)人: 梁倩;崔赛楠;李忠玉 申请(专利权)人: 常州大学
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;C02F1/30;C02F101/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213164 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 制备 复合光催化剂 溶胶凝胶法制 复合催化剂 光催化效率 无二次污染 原位生长法 水热法制 制备条件 复合材料 硫化铟 片状铁 酸镧 应用
【说明书】:

发明涉及一种LaFeO3/ZnIn2S4复合光催化剂的制备方法,包括步骤:水热法制备花球状硫化铟锌ZnIn2S4、溶胶凝胶法制备片状铁酸镧LaFeO3和原位生长法制备LaFeO3/ZnIn2S4复合材料。本发明的有益效果是:该制备方法较为简单,制备条件容易控制,所制备的LaFeO3/ZnIn2S4复合催化剂具有无二次污染,光催化效率高等优点,具有一定的应用价值。

技术领域

本发明属于纳米材料制备及应用技术领域,涉及一种LaFeO3/ZnIn2S4复合光催化剂的制备方法。

背景技术

铁酸镧(LaFeO3)因为具有天然钙钛矿(CaTiO3)结构,被认为是一种典型的ABO3型钙钛矿型氧化物。典型的钙钛矿型氧化物的晶体结构属于立方晶系。A位元素多为离子半径较大的稀土元素或者碱土金属元素,占据立方体的体心位置,B位元素则多为离子半径较小的过渡态金属元素,占据立方晶胞的顶点,O占据着立方体棱边的中点位置。因此,理想的钙钛矿晶体具有较好的对称性。由于A位元素未必满足:rA+rB=1.4142(rB+rO),式中:rx代表X离子的半径。离子半径尺寸不匹配的A位元素会使BO6八面体发生晶体畸变,有可能形成正交晶系或菱方晶系。所以钙钛矿结构的形成既需要ABO3体系保持电中性,也要有合适的离子半径。光催化体系反应速率的影响因素众多,其中主要方法是提升光催化剂的活性和稳定性。但传统的TiO2等宽带隙材料在可见光下并不能被激发,仅仅只能利用太阳光中4%左右的紫外光,而可见光却占到总量的43%左右。因此,研究并开发能在可见光下响应的ABO3钙钛矿型氧化物就显得尤为重要。但ABO3钙钛矿型氧化物仍存在一些难以克服的缺点。以LaFeO3为例,LaFeO3作为一种典型的钙钛矿型氧化物,具有稳定性高、无毒、禁带宽度窄等优良特点,但其较弱的光生电荷分离能力和较小比表面积严重制约了光催化活性的提高。

ABO3钙钛矿结构氧化物因其结构特殊,A位元素和B位元素选择多样,具有广阔的研究前景,有望成为解决环境问题和能源短缺的关键材料,受到科研人员的广泛关注。以LaFeO3为研究对象,通过构建不同的铁酸镧基复合材料进行改性。虽然LaFeO3具有高稳定性、无毒、禁带宽度窄等一系列优良特性,但其光生载流子较高的二次复合率严重制约了LaFeO3材料的光催化活性。我们通过构建复合光催化剂能有效解决这一问题,将LaFeO3和其他半导体材料进行复合,创造大量的交互界面和电荷转移通道,有效转移和分离光生电荷,到达光生电子和空穴的完全分离,从而达到增强光催化活性的目的。因此,为了改善LaFeO3的光催化活性,将LaFeO3与ZnIn2S4进行复合改性,增强LaFeO3的光电性能,开发新型的复合半导体光催化剂。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州大学,未经常州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810600449.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top