[发明专利]一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源及激发方法

权利要求书

1.一种基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，包括过渡金属硫族化物薄膜(2)和泵浦光源(3)，泵浦光源(3)激发过渡金属硫族化物薄膜(2)表面辐射太赫兹波；

所述的过渡金属硫族化物薄膜(2)的厚度为0.72nm～200nm。

2.如权利要求1所述的基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，所述的过渡金属硫族化物薄膜(2)的厚度为0.72nm～8nm。

3.如权利要求1所述的基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，所述的泵浦光源(3)采用中心频率为400～800nm，脉宽为10～100fs，重复频率为1～100KHz的飞秒激光。

4.如权利要求1所述的基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，所述的过渡金属硫族化物薄膜(2)为一种过渡金属硫族化物形成的薄膜或一种以上过渡金属硫族化物形成的异质结薄膜。

5.如权利要求1所述的基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，所述的过渡金属硫族化物为二硫化钼、二硫化钨、二硫化铼、二硒化钨或二硒化钼。

6.如权利要求1所述的基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，所述的过渡金属硫族化物薄膜(2)铺设在基底(1)上，所述的基底(1)为石英、二氧化硅、硅或蓝宝石。

7.如权利要求1所述的基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，所述的过渡金属硫族化物薄膜(2)通过化学气相法、机械剥离法、液相剥离法、外延生长法或氧化还原法制备得到。

8.如权利要求1所述的基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，太赫兹发射源还包括电极(4)，在过渡金属硫族化物薄膜(2)表面设置两个电极(4)，两个电极上分别引出导线连接电源正负极。

9.如权利要求7所述的基于过渡金属硫族化物太赫兹发射源，其特征在于，所述的电极(4)通过光刻法、真空蒸镀法、磁控溅射法或电化学沉积法制备在过渡金属硫族化物薄膜表面。

10.权利要求1至9任意一项所述的太赫兹发射源的激发方法，其特征在于，该方法包括：固定入射激发脉冲，旋转过渡金属硫族化物薄膜(2)平面中心轴，泵浦光源(3)激光以0o～90o入射激发过渡金属硫族化物薄膜(2)的表面。