[发明专利]一种碳化硅MOSFET驱动电路

权利要求书

1.一种碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：

所述的碳化硅MOSFET驱动电路中，PWM控制电路产生PWM脉冲信号，PWM脉冲信号经过驱动信号放大电路后，经过电阻R1控制碳化硅MOSFET Q1，供电电源输出包括+15V，0V和-3V直流电压，+15V和-3V直流电压分别给驱动信号放大电路供电，0V和碳化硅MOSFET Q1的源极连接；

Q1的驱动电路由驱动电阻R1，P沟道MOS管M1，电阻R3，二极管D1、D2、电阻R4和电容C1、C4组成，驱动信号放大电路输出端与驱动电阻R1及P沟道MOS管M1的栅极连接，M1的栅极和源极分别连接到电阻R1的两端，电阻R3和电容C4并联后一端与M1漏极连接，另一端与Q1的栅极连接，P沟道MOS管M1、R3和C4构成辅助放电电路，当PWM控制电路输出低电平时，Q1关断，Q1的栅极电压箝位到负压，驱动电阻R1的电阻值满足Q1的开通速度；电阻R3的电阻值和电容C4的电容值，满足Q1的关断速度；

二极管D1的阳极和二极管D2的阳极连接，二极管D1阴极和Q1的栅极连接，二极管D2的阴极和Q1的源极连接，当驱动信号放大电路输出高电平信号开通Q1时，如果叠加到Q1的栅源电压尖峰超过二极管D1的稳压值，二极管D1的稳压值为碳化硅的栅源电压的正向最大值，栅源电压箝位到D1的稳压值，避免Q1过压击穿，当驱动信号放大电路输出低电平信号关断Q1时，如果叠加到Q1的栅源负电压尖峰超过二极管D2的稳压值，栅源之间的负电压箝位到二极管D2的稳压值，D2的稳压值为碳化硅的栅源电压的反向最大值，避免Q1的栅源电压反向过压击穿；

R4并联到Q1的栅极和源极，R4泄放Q1的栅源寄生电容的电压，避免Q1误导通，C1并联到Q1的栅极和源极，调节电容C1的电容值，改变Q1漏源电压变化率，当碳化硅MOSFET构成桥臂结构时，减少桥臂电路上下管栅源电压的串扰。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：

所述的驱动信号放大电路的构成包含但不仅限于使用PMOS管和NMOS管构成推挽式驱动电路，或使用NPN和PNP三极管构成的推挽式驱动电路；或使用驱动脉冲集成芯片，或使用推挽电路加驱动变压器。

3.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：

在控制电路和功率电路需要隔离的场合，使用具有隔离功能的驱动信号放大集成芯片构成驱动信号放大电路。

4.根据权利要求1所述的碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：

所述PWM控制电路产生PWM脉冲，PWM脉冲由PWM控制芯片产生，或使用DSP、单片机、FPGA可编程芯片产生。