[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法

说明书

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。该量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有本体异质结传输层。该本体异质结传输层可以促进空穴载流子的输运，有效提高空穴的迁移率，因此该本体异质结传输层可提高空穴的注入效率，有利于平衡现有量子点发光二极管中量子点发光层内的电子和空穴，从而缓解载流子注入不平衡的问题。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

胶体量子点因其荧光效率高、单色性好、发光波长可调控和稳定性好而在显示器件领域有着可观的应用前景。基于量子点的发光二极管(量子点发光二极管，Quantum dotlight-emitting diode，QLED)具有更好的色彩饱和度、能效色温以及寿命长等优点，有望成为下一代固体照明和平板显示的主流技术。

平衡电子和空穴的载流子注入是获得高效QLED器件的有效途径，在目前大量制备的QLED器件中，电子传输层材料采用纳米无机氧化锌纳米颗粒，这导致除了电子输运的高迁移率之外，电子的注入势垒也非常低，但是对于空穴来说，由于通常采用有机聚合物材料作为空穴传输层，不但迁移率较低，而且注入势垒相对较大，这样一来就导致电子和空穴注入的极端不平衡，导致过量的电子注入引起器件功能层如空穴传输层的自发光，从而影响量子点发光器件的发光纯度和复合效率。另外，如果过量注入的电子在量子点发光层中输运受阻，会使得电荷在量子点发光层累积，严重影响量子点的发光特性。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有量子点发光二极管中电子和空穴注入不平衡的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明一方面提供一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有本体异质结传输层。

本发明另一方面提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供本体异质结材料；

将所述本体异质结材料沉积在阳极或量子点发光层上，得到本体异质结传输层。

本发明提供的量子点发光二极管，在阳极和量子点发光层之间设置有本体异质结传输层，该本体异质结传输层可以促进空穴载流子的输运，有效提高空穴的迁移率，因此该本体异质结传输层可提高空穴的注入效率，有利于平衡现有量子点发光二极管中量子点发光层内的电子和空穴，从而缓解载流子注入不平衡(即电子注入远高于空穴注入)的问题。

本发明提供的量子点发光二极管的制备方法，工艺简单，在阳极和量子点发光层之间沉积一层本体异质结传输层，该本体异质结传输层可提高空穴的注入效率，有利于平衡器件中量子点发光层内的电子和空穴，从而缓解电子注入远高于空穴注入的问题。

附图说明

图1为本发明中一种发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

一方面，本发明实施例提供了一种量子点发光二极管，包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述阳极和所述量子点发光层之间设置有本体异质结传输层。