[发明专利]晶片定位环的研磨方法、晶片定位环及其应用和化学机械抛光装置

权利要求书

1.一种晶片定位环的研磨方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

将晶片定位环固定在抛光头上，将抛光垫放置于研磨盘上，加入研磨液进行抛光，同时对抛光头施加压力；

其中，研磨转速为50-80rpm，研磨时间为35-45min，研磨液流量为0.7-1.2mL/s，压重为4.3-4.8kg。

2.根据权利要求1所述的晶片定位环的研磨方法，其特征在于，研磨转速为60-70rpm，研磨时间为38-42min，研磨液流量为0.9-1.0mL/s，压重为4.5-4.6kg。

3.根据权利要求1所述的晶片定位环的研磨方法，其特征在于，所述研磨液包括如下重量百分比的组分：

金属防腐蚀剂1-6％，分散剂3-12％，研磨粒子12-16％，余量为水；

优选地，所述研磨液包括如下重量百分比的组分：金属防腐蚀剂3-4％，分散剂6-7％，研磨粒子13-14％，余量为水。

4.根据权利要求3所述的研磨液，其特征在于，所述研磨粒子为氧化铝、氧化锆、二氧化硅和氧化铈中的至少一种；

优选地，所述研磨粒子粒径为30-70mm；

优选地，所述研磨粒子粒径为40-60mm。

5.根据权利要求3所述的研磨液，其特征在于，所述金属防腐蚀剂为1H-1,2,3-三唑并[4,5-b]吡啶、一元羧酸乙醇胺盐、二元羧酸乙醇胺盐和苯丙三唑中的至少一种。

6.根据权利要求3所述的研磨液，其特征在于，所述分散剂为十二烷基硫酸钠、聚丙烯酰胺和甲基戊醇中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的晶片定位环的研磨方法，其特征在于，所述研磨盘包括如下重量百分比的组分：

树脂60-70％、铁粉25-35％和防锈剂2-8％；

优选地，所述铁粉包括电解铁粉、铁纤维、雾化铁粉和还原铁粉中的至少一种；

优选地，所述防锈剂包括椰油酸二乙醇酰胺、椰油酰基氨酸乙醇胺和油酰基肌氨酸乙醇胺中的至少一种；

优选地，所述研磨盘粒度为300-600目。

8.采用权利要求1-7任一项所述的晶片定位环的研磨方法研磨得到的晶片定位环。

9.权利要求8所述的晶片定位环在半导体化学机械抛光工艺中的应用。

10.包含权利要求8所述的晶片定位环的化学机械抛光装置。