[发明专利]量子点薄膜的制备方法

说明书

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜的制备方法。该量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：提供基底；在所述基底上制备图案化磁性材料层；提供含有磁性量子点的量子点溶液，将所述量子点溶液与所述图案化磁性材料层混合处理，得到图案化的量子点薄膜。该制备方法工艺简易高效，而且成本低，将其应用于制备图案化量子点光致发光器件，可显著降低成本。

技术领域

本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种量子点薄膜的制备方法。

背景技术

近年来，量子点发光器件QLED因具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点在照明和显示领域获得了广泛的关注与研究。同时，QLED具有光致发光光谱半高宽窄、发光波长与颜色可通过量子点颗粒尺寸进行调节和低成本溶液法制备等优点，在固态照明和显示领域有巨大的应用潜力。

制备QLED的方法包括以旋涂法、喷墨打印法等为代表的溶液制备方法，相对比以热蒸镀和溅射代表的真空镀膜技术，其特点在于成膜均匀性高，厚度可控及相对具备较高场效应迁移率等，缺点在于仪器设备复杂，成本较高，不利于大规模的工业化应用。同时，低成本的溶液成膜技术是促使制备显示器件工业化的必然趋势。

目前，量子点显示技术在某些光电子和生物科技方面的应用需要其图案化显示，其制备方法多需要结合刻蚀等复杂工艺；因此，溶液法制备图案化发光器件工艺复杂、成本高，现有技术有待改进。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种量子点薄膜的制备方法的制备方法，旨在解决现有溶液法制备图案化发光器件工艺复杂、成本高的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

本发明提供一种量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：

提供基底；

在所述基底上制备图案化磁性材料层；

提供含有磁性量子点的量子点溶液，将所述量子点溶液与所述图案化磁性材料层混合处理，得到图案化的量子点薄膜。

本发明提供的量子点薄膜的制备方法，先在基底上制备图案化磁性材料层，然后将该图案化磁性材料层与含有磁性量子点的量子点溶液混合，这个混合处理的过程中，利用磁性吸附作用，将磁性量子点吸附在图案化磁性材料层上，从而得到图案化的量子点薄膜；该制备方法工艺简易高效，而且成本低，将其应用于制备图案化量子点光致发光器件，可显著降低成本。

附图说明

图1为本发明实施例1中基底上的图案化磁性材料层与磁性量子点的吸附过程图；

图2为本发明实施例1中基底上的图案化磁性材料层的俯视图；

图3为本发明实施例1中基底上的图案化的磁性量子点薄膜的俯视图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实施例提供了一种量子点薄膜的制备方法，包括如下步骤：

S01：提供基底；

S02：在所述基底上制备图案化磁性材料层；

S03：提供含有磁性量子点的量子点溶液，将所述量子点溶液与所述图案化磁性材料层混合处理，得到图案化的量子点薄膜。