[发明专利]制作半导体元件的方法在审
| 申请号： | 201810601536.7 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN110600428A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡宗洵 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作工艺 氧化层 低电压区 原子层沉积 高电压区 退火 低电压晶体管 高电压晶体管 半导体元件 离子累积 有效减少 栅极结构 对基板 移除 催化 损伤 覆盖 制作 | ||
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包括：
形成第一氧化层于高电压区与低电压区上；
进行原子层沉积制作工艺形成第二氧化层于所述第一氧化层上，所述原子层沉积制作工艺功率介于50至400瓦；
进行退火制作工艺，所述退火制作工艺温度介于80至500摄氏度；
移除覆盖所述低电压区的部分所述第一氧化层与所述第二氧化层；
形成第三氧化层于所述高电压区与所述低电压区上；以及
形成栅极结构于所述高电压区与所述低电压区上，以形成高电压晶体管与低电压晶体管。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火制作工艺的时间介于5秒至60分钟。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述退火制作工艺的时间介于5秒至10分钟。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第三氧化层之前，所述方法还包括：
进行预清洗步骤，时间介于150至600秒。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预清洗步骤使用的清洗液包括氟化氢。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述清洗液还包括氟化铵。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氟化铵占所述清洗液重量的5％～45％，且所述氟化氢占所述蚀刻液重量的0.1％～10％。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低电压晶体管为NMOS晶体管。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低电压区为逻辑区。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化层的厚度介于80至200埃之间。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度介于20至100埃之间。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三氧化层的厚度介于12至50埃之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
